基于PLC和组态软件的现代温室控制系统设计

介绍了基于PLC和组态软件的现代温室控制系统设计,详细阐述了系统设计的整体结构和软硬件部分的设计,并采用工控组态软件开发人机接口可视化界面（HMI）,使系统具有界面友好,易于操作,运行可靠,便于升级扩充等特点。试验证明该系统运行良好,具有广阔的应用前景。     

可编程控制器技术发展的几个特点

本文简要叙述可编程控制器技术发展的几个特点．小型可编程控制器功能增强,中、大型可编程控制器向开放型、模块化体系结构发展,可编程控制器编程语言标准化：     

MOS场效应晶体管特性与应用

一、MOS场效应晶体管导电机构及原理 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是 N沟导 MOS管芯结构原理图,即在 P型硅基片上有两个 N~+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用 D表示,在 D和 S间的硅片上覆盖了较薄的 SiO_2绝缘层和金属层,并引出一电极,     

一种单片机程控式软开关电源

设计一种单片机程控式软开关电源.将单片机控制和软开关变换技术相结合,使得设计后的电源转换效率高、控制精度高且人机交互性能好.文章介绍了电源的系统结构及其硬件、软件设计,设计结果表明该电源是一台高效、可靠及实用的电源.     

先驱体转化制备ZrO2改性SiC陶瓷的氧化行为研究

采用先驱体转化法,以聚碳硅烷、二乙烯基苯和正丁醇锆为原料高温裂解制备了ZrO2改性的SiC陶瓷材料,结合XRD,SEM和EDS能谱等测试方法,研究ZrO2的添加对材料氧化行为的影响。结果表明:ZrO2引入后,SiC陶瓷材料在1600℃开始氧化,表面生成了SiO2阻氧层阻止气体逸出,宏观上形成气泡,到1700℃材料氧化较严重,表面变得凹凸不平,出现较多空洞,并且存在一定程度的失重;1700℃氧化后,含ZrO2的材料表面和内部均有一定程度的氧化,表面的主要成分为SiO2,内部有部分SiC发生了氧化,两种材料氧化层呈梯度分布;在高温氧化过程中,ZrO2会发生由四方相向单斜相的相变,SiC对ZrO2的相变具有抑制作用,而材料氧化后生成的SiO2则无法抑制ZrO2的相变。     

PLC发展的几个特点和国产化

PLC产生于上世纪60年代,崛起于70年代,成熟于80年代,于90年代取得技术上的新突破,21世纪PLC技术发展的几个特点为:适应市场需要,加强PLC通信联网的信息处理能力;PLC向开放性发展;PLC的体积小型化.     

PLC发展的几个特点和国产化

PLC产生于上世纪60年代,崛起于70年代,成熟于80年代,于90年代取得技术上的新突破,21世纪PLC技术发展的几个特点为:适应市场需要,加强PLC通信联网的信息处理能力;PLC向开放性发展;PLC的体积小型化,运算速度高速化;软PLC出现;PLC编程语言趋于标准化。     

监控通信在立体车库现场控制中的应用

本文基于PLC的电气控制系统，先简单介绍了立体车库的结构概况及其控制流程，然后详细论述了PLC与上位机通信环境的建立，并举出了应用Delphi开发监控软件的实例。     

先驱体转化制备ZrO2改性SiC陶瓷的烧蚀行为

采用先驱体浸渍-裂解法,以聚碳硅烷和正丁醇锆为原料高温裂解制备了ZrO2改性的SiC陶瓷材料,采用氧乙炔焰对材料进行烧蚀实验,结合XRD、SEM和EDS能谱等测试方法,研究了ZrO2的引入对材料烧蚀行为的影响。结果表明:在制备的ZrO2改性SiC陶瓷中,ZrO2以细碎的颗粒状存在于致密的SiC之间。ZrO2的引入提高了SiC陶瓷材料的抗烧蚀性能,引入质量分数为29%ZrO2后,SiC陶瓷的质量烧蚀率由0.0412g/s降低为0.0195g/s,烧蚀后材料未发生断裂。构建了烧蚀行为模型,可知ZrO2在烧蚀后能相对稳定的存在于烧蚀中心,而SiC被氧化为SiO2向四周流失。