全国建筑劳动力市场理论与实践研讨会综述

全国建筑劳动力市场理论与实践研讨会综述全国建筑劳动力市场理论与实践研讨会于１９９６年１２月６日至８日在河南省林州市举行，来自全国２２个省（市）、自治区建委（建设厅）和国务院所属总公司的主管同志，建设部确定的建筑劳务基地的政府主管领导，浙江、江苏、山东...     

浅析有源电力滤波器在印钞设备中的应用

简述了电力系统谐波的基础理论及其危害,根据企业实际存在的问题,对印钞设备的谐波分量测量,给出了印钞设备工作时产生的谐波畸变图形,通过分析比较,选用施耐德AccuSine有源电力滤波器,并联安装于印钞机电源进线位置。通过投入使用前后的电流、电压波形和电流电压谐波含量比较,证实有源滤波器使印钞机的谐波畸变率由22.4%下降到2.4%。最后介绍了AccuSine有源电力滤波器的技术原理。     

建立现代化企业制度积极稳妥推进国有大中型建筑企业的公司制改革

建立现代化企业制度积极稳妥推进国有大中型建筑企业的公司制改革赵春旺现代化企业制度是适应社会主义市场经济要求的崭新的企业制度，是社会主义市场经济的一个重要组成部分，现代企业制度的内涵应当是公司法人制度，因此要建立现代企业制度首先应当抓住时机，积极稳妥地...     

薄膜厚度对Si基SiO2薄膜力学性能的影响

为了研究薄膜厚度对Si基SiO_2薄膜力学性能的影响规律,利用纳米压痕技术及有限元模拟方法对不同厚度的Si基SiO_2薄膜材料进行测试,分析了不同厚度薄膜的硬度及弹性模量等力学性能,讨论了不同压深膜厚比对不同厚度薄膜弹性恢复率的影响,并在试验的基础上,建立了有限元模型,模拟了不同厚度薄膜在相同压深下的载荷位移关系,分析了薄膜的弹性恢复性能。结果表明:SiO_2薄膜越厚其弹性模量越小,而薄膜的硬度在薄膜较薄时压痕的尺寸效应更明显,并利用模拟进一步分析得出薄膜越薄弹性恢复性能越好。     

高掺杂N对金红石型TiO2电子结构和红移影响的理论研究

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下分别建立了未掺杂和取代O高掺杂N原子的金红石型TiO2超胞模型,优化了晶胞的几何结构,计算了能带分布、态密度分布和吸收光谱.结果表明,金红石型TiO2-xNx超胞取x=0.0625的条件下,N的2p态与O的2p态发生杂化耦合,使其价带上移、最小带隙变...     

采取切实有效措施 全面提高一线作业人员综合素质

劳动者作为生产力的要素对生产力发展起着决定性的作用。随着科技进步,建筑行业的新技术、新材料、新工艺、新产品层出不穷,人们对建筑产品生产的要求越来越高,这不仅要求承包商具备较高的管理、技术和设备水平,同时,也对一线作业工人提出了更高的要求。本文作者剖析了影响一线作业层队伍素质提高的主要原因,并就如何解决这一问题提出了相应的措施及建议,供大家参考。     

Al 2O 3/ Al 复合材料的界面结构特征

利用高分辩透射电子显微镜研究挤压铸造法制备的亚微米 Al 2O 3颗粒增强 Al 基复合材料的界面微观结构。结果表明 : Al基体的 (200) 和 (111) 面优先沿 Al 2O 3颗粒表面生长 , 在复合材料界面处 Al 基体与 Al 2O 3颗粒具有 Al (200) ∥Al 2O 3 (101 2) 、Al [011 ] ∥Al 2O 3 [0221 ] 的晶体学位向关系并形成半共格界面 , 且界面存在 Al (111) / / Al 2O 3 ( 1120) 的共格关系。界面干净无任何反应物。接近界面的 Al 基体中出现了柏氏矢量为 b= 1/ 3 [ 111 ] 弗兰克不全刃位错 , 该刃位错引起界面附近基体中明显的晶格应变场 , 位错周围晶格变形场的范围约为 20～30 层原子面宽度 , 而在 Al 2O 3颗粒靠近界面的区域中未观察到位错等缺陷。并从晶体学角度对界面的形成机制进行了分析。     

喷射成形挤压态Al-12Zn-2.4Mg-1.1Cu-0.5%Ni合金显微组织研究

利用喷射成形技术制备了Al-12Zn-2.4Mg-1.1Cu-0.5%Ni合金,随后在420℃保温2h后进行热挤压。利用高分辨透射电子显微镜和X射线能谱仪对挤压后的实验合金中第二相的组织结构和成分进行了研究。结果表明:挤压后的实验合金的晶粒尺寸只有0.5μm左右,第二相主要有Mg(Zn,Cu)2相、L12-Al3Zr相和Al9FeNi相。挤压态合金中的Mg(Zn,Cu)2相只有70nm左右,为Mg(Zn,Cu)2相完全固溶到基体中提供了基础。     

反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响

居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。     

Al_2O_3/2024Al复合材料界面结构的HRTEM研究

采用透射电子显微镜对挤压铸造法制备的Al2O3/2024Al复合材料的界面微观结构进行了深入研究。结果表明:复合材料界面结合紧密且无任何反应物。Al基体的(111)面与Al2O3颗粒表面保持共格和半共格关系:Al(111)//Al2O3(■2ī)、Al(111)//Al2O3(11ī)、Al(111)//Al2O3(110),界面处基体中可以看到由于晶格错配而产生的刃位错,说明基体与增强颗粒晶面间距接近时,基体可以依靠增强颗粒表面结晶并长大,即增强颗粒作为基体异质形核的质点,并从晶体学角度对界面的形成原因进行了解释。