GaAs中Si的二次离子质谱定量分析

评述砷化镓中硅SIMS定量分析的进展，讨论了相对灵敏度因子法。对此种GaAs的原始参考物质，用实验确认了其可靠性。为常规定量分析研制了二次参考物质。对一些关键实验因素，如样品装载、仪器参数以及离子选择等进行了仔细研究，并评价它们对定量重复性、精确性、检测限和基体效应的影响。Cs 源入射时GaAs中Si定量分析精度在15％内；检测AsSi二次离子时，29Si的检测限达5×1014atoms／cm3。     

二次离子质谱学的最新进展：第9届国际二次离子质谱学会议评述

二次离子质谱学（ＳＩＭＳ）以其很高的灵敏度、很宽的动态范围和优良的深度分辨已逐步发展成为一种重要而有特色的表面分析手段。本文结合第９届国际二次离子质谱学会议（ＳＩＭＳ－ＩＸ）对ＳＩＭＳ的最新进展作一个简要评述，范围包括ＳＩＭＳ的各个方面：基础研究、仪器发展、定量分析、应用以及后电离技术等。