基于MTConnect的机床远程多功能监控系统

针对制造车间中不同类型的设备具有不同的通信协议和接口所造成的车间通信标准不统一的问题,基于MTConnect协议为不同设备的互联互通提供了统一的通信接口,并应用于对设备的联网监控。对数控机床无线监控技术与MTConnect协议进行了研究,在分析了如何基于MTConnect协议进行设备描述、数据采集、联网监控的基础上,构建了一种基于MTConnect协议的机床远程多功能监控系统,对数控机床的CNC系统、机床能耗和机床颤振等进行监测。监控系统采用C/S架构,服务端采用C#语言实现并嵌入开放式数控系统,客户端采用Java开发了移动端的安卓应用程序,可以在便携式的移动端(手机或平板)上查看机床的实时监控数据。通过实际加工对该监控系统进行了试验测试,结果表明,该监控系统能够实时获取机床的监控数据,可以在便携式的移动端上对机床的运行状况进行有效的监控。     

Ni-ZrO2纳米复合电沉积工艺参数优选研究

在纳米复合电沉积工艺中,通过优选工艺参数可以获得纳米颗粒复合量较高的复合沉积层,以使其具有某些优越的性能.笔者首先运用正交实验法优选了对复合沉积层中纳米颗粒复合量有较大影响的工艺参数,诸如镀液中ZrO2颗粒悬浮量、阴极电流密度和镀液温度等,然后用BP神经网络分析方法对其结果进行分析处理.预测并得到纳米颗粒复合量更高的复...     

应用型人才培养模式创新实验区的探索与实践

以培养"数字化制造技术"应用型人才为目的,针对应用型本科机械专业对学生知识和能力的要求,对创新实验区的人才培养模式进行了探索,提出了创新实验区人才培养的具体目标及思路,创建了创新实验区理论、实践教学体系以及能力培养与素质拓展体系,并开展了一系列有效措施来保证实践教学体系的实施,经过实践取得了优异的成绩.     

SU-8胶微结构的显影技术研究

突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术,对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论,分析了120～340μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显影规律,认为在同样条件下,凸型图形显影效果优于凹型非连通性图形;曲线型显影效果优于直线型图形与点状图形;圆弧连接的图形显影效果优于尖角型图形。显影时辅助适当功率的超声搅拌显著改善图形质量,凸型结构最佳超声功率小于10W;凹型结构超声功率为15W左右;深宽比为5～7的凸型胶膜结构适宜显影时间为10min以内,凹型结构显影时间达25min。     

并联机构在电弧炉碳-氧喷枪中的应用

1　原机构基本参数及工作原理江苏淮钢集团短流程生产线配置的氧碳喷枪 ,整套生产线从意大利ＤＡＮＡＬＩＣ公司引进 ,氧碳喷枪系统由Ｍｏｒｅ公司根据ＤＡＮＡＬＩＣ公司的 70ｔ超高功率电弧炉生产能力进行配套设计 ,主要参数如下 :氧气流量 :2 5 0 0ｍ3/ｈ ;氧气压力 :1 .0～ 1 .2ＭＰａ;氧气流速 :2 .2～ 2 .8马赫 ;支座旋转角度 :90°;旋转马达功率 :0 .75ｋＷ ;沿炉门左右摆角 :2 0°;上下倾角 :1 2° ;枪身长度 :3 1 0 0ｍｍ ;炉门 :1 2 0 0ｍｍ× 1 1 0 0ｍｍ× 80 0ｍｍ。图 1为枪体动作的原理图[1 ] 。枪身进入炉门的动作由横臂 1…     

模糊神经网络在UV－LIGA工艺优化中的应用

将模糊神经网络理论和算法应用于负性光刻胶(SU-8)加工高分辨率和高深宽比微结构的工艺研究,在正交试验的基础上对网络进行训练,建立了光刻图形质量与前烘时间、前烘温度、曝光量、后烘时间之间的预测模型。该模型采用五层前向模糊神经网络,学习算法为梯度下降法。进行了实验,实验结果表明,前烘温度与前烘时间对光刻质量影响最大。对120~340 μm厚的光刻胶,前烘温度取95℃,前烘时间100 min时,图形的相对线宽差最小;超声搅拌能缩短显影时间,显著改善图形质量,试验结果与计算结果十分吻合。将模糊神经网络应用于UV－LIGA工艺中,能实现光刻加工微结构的工艺参数优化。     

提高中高含水期油井压裂经济效益的方法

为提高葡北油田中高含水期油井压裂经济效益，合理选择压裂井层尤为重要。应用水驱特征曲线预测出油井压裂前可采储量，从而计算出剩余可采储量及可采储量采出程度，通过绘制油井压裂前剩余可采储量及可采储量采出程度与油井压裂后所创经济效益之间关系曲线，寻找出相关规律，进行优选压裂井，再根据精细地质研究成果，在剩余油富集区选择具体压裂层位。经实际应用，取得了较好效果，提高了油井压裂方案符合率，提高了经济效益，进而总结出一套适合葡北油田中高含水期油井压裂选井选层方法，对今后进一步搞好油井压裂增产工作具有指导意义。     

金属栅/高k基FinFET研究进展

对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性。结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历程,分析了各阶段FinFET器件的材料特性及其在等比缩小时所面临的关键问题,并着重从延迟时间、可靠性和功耗三方面分析了金属栅/高k基FinFET应用于22 nm器件的性能优势。基于短沟道效应以及界面态对器件性能的影响,探讨了FinFET器件尺寸等比缩小可能产生的负面效应及其解决办法。分析了FinFET器件下一步可能的发展方向,主要为高迁移率沟道材料、立体型栅结构以及基于新原理的电子器件。     

SU-8胶微结构的显影技术研究

突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术,对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论,分析了120-340μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显影规律,认为在同样条件下,凸型图形显影效果优于凹型非连通性图形;曲线型显影效果优于直线型图形与点状图形;圆弧连接的图形显影效果优于尖角型图形。显影时辅助适当功率的超声搅拌显著改善图形质量,凸型结构最佳超声功率小于10w;凹型结构超声功率为15W左右;深宽比为5-7的凸型胶膜结构适宜显影时间为10min以内,凹型结构显影时间达25min。     

环氧基负性光刻胶加工微结构的试验研究

在正交试验的基础上,将BP神经网应用于负性光刻胶(SU-8)加工高分辨率和高深宽比微结构的工艺研究,建立了光刻图形质量与前烘时间、前烘温度、曝光量、后烘时间之间的预测模型,该模型采用三层前向网络,学习算法为梯度下降法。通过实验,得出:前烘温度与前烘时间对光刻质量影响最大,对120～340μm厚的光刻胶,前烘温度取90℃,前烘时间50~100min时,图形的相对线宽差最小;最佳后烘时间(85～95℃)为30min;超声搅拌能缩短显影时间,改善图形质量。试验结果与网络预测结果吻合。结果表明,将BP神经网络应用于UV-LIGA技术中,可以优化光刻工艺。