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MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用.同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了... 相似文献
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基于SMIC 0.18μm RF-CMOS工艺,设计了一种采用垂直地平面共面波导(VGPCPW)传输线的片上30 GHz带通滤波器。通过对传统CPW和VGP CPW两种不同结构传输线的理论研究,对比分析了两者的损耗、特征阻抗及隔离特性,建立了VGP CPW长度可扩展的传输线模型。使用特征阻抗为50Ω的低损耗VGP CPW传输线结构,结合VGP CPW长度可扩展模型与EM分析方法,设计了30 GHz带通滤波器。在片测试结果表明,该毫米波VGP CPW传输线滤波器模型仿真和电磁场仿真S参数曲线与测试结果比较吻合,可为毫米波集成电路滤波器设计提供借鉴。 相似文献
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当今,由于时代的飞速发展,信息技术成为高中学生的必修课,被摆在了越来越重要的位置。要想切实提高信息技术课教学质量和学生的学习效率,我们需要改变传统的信息技术课教学模式,必须加强信息技术课理论的教学。教材对理论知识没有作过多的论述,占用篇幅较少,知识的系统性比较薄弱;学习内容较艰涩难懂,少趣味陛。如何能在理论课中实现突破,既能使学生主动、愉决地掌握理论知识,又能有效地培养学生信息素养呢? 相似文献
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提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz~20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器. 相似文献
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针对3500mm定尺剪减速机在使用中出现的问题,在原结构上进行了一系列改进。改进后的减速机,其结构更简单合理,为以后的产品设计提供了宝贵经验,具有一定的参考和借鉴作用。 相似文献
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不锈钢缩放管中典型致垢微生物致垢能力 总被引:1,自引:0,他引:1
以电厂循环冷却塔塔底黏泥中分离纯化出的3种致垢微生物铁细菌(IB)、硫酸盐还原菌(SRB)、黏液形成菌(HB)为实验菌种,利用污垢热阻动态模拟实验台,在恒定工况下(水温30 ℃,流速0.4 m/s),动态模拟了3种致垢菌及其混合菌的微生物污垢形成过程。实验测得了3种致垢菌和混合菌的污垢热阻,并对垢样成分进行了ICP-MS和阴离子分析。结果表明:污垢诱导期分别为28 h、45 h、70 h和18 h;污垢热阻渐近值为2 10?4 m2?K/W、1.75 10?4 m2?K/W、1.45 10?4 m2?K/W和4.9 10?4 m2?K/W。由此表明致垢菌的致垢能力大小为:混合菌>IB>SRB>HB。垢样成分分析结果表明:IB垢样成分分析中Fe、C和NO3?含量较多,而重金属离子及Cl?含量较少,说明其具有较强的致垢能力而腐蚀能力较弱;SRB垢样分析显示,S、Fe及Cl?相对较高,且重金属Ni、Cr含量较多,说明其致垢的同时具有较强的腐蚀特性;HB形成的污垢主要以C、N及NO3?为主,且含有一定量的Cl?,表明此菌也具有一定的腐蚀性质。 相似文献
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