高效CoFe2O 4的制备及其碱性析氧性能

析氧反应(oxygen evolution reaction, OER) 电催化剂存在成本高、效率低等问题。OER 是一个需要高过电 位的四电子-质子耦合反应, 为了降低电解水阳极的OER 过电位和提高钴铁氧化物(CoFe₂O₄) 的电流密度和稳定 性, 采用简单的水浴和煅烧的方法制备不同煅烧温度的非贵金属催化剂CoFe₂O₄。采用XRD、SEM、TGA 等方法 对CoFe₂O₄ 材料进行表征, 电化学研究结果表明, 在1 mol/L KOH 溶液中, 经过300 ℃ 煅烧的CoFe₂O₄ OER 性能最好, 1.58 V 时就可以产生10 mA/cm² 的电流密度, 塔菲尔(Tafel) 斜率为96 mV/dec, 经过1 000 次循环伏安扫描和计 时电流进行稳定性测试后, 其析氧性能依然保持较高的稳定性。     

分布式超媒体系统的研究与发展

本文着重探讨了分布式超媒体系统的概念、特点及系统的组织结构，并介绍了分布式超媒体的若干发展方向以及国外的一些研究成果     

PFT—NMR脉冲相干累加测量信噪比最优化设计

本文介绍在脉冲付里叶变换核磁共振波谱学(PFT—NMR)定量测量要求的强度误差范围限制下,对相干累加方法中使用的射频脉冲之脉冲角和重复时间进行最优化设计,以获得最大信噪比的技术。绘出脉冲最佳重复时间与强度误差范围的关系曲线,求出曲线的数学表达式,并提出脉冲测量的准稳态判据以估计系统经过多少个脉冲后才达到准稳态,从而可以开始相干累加测量。     

一起轴流式风机失速的处理及预防

基于轴流式风机失速的机理,介绍了某电厂超临界机组风烟系统一次风机并入过程中发生失速现象,分析了失速的原因,并提出了针对性的预防措施。     

静电纺丝制备Zn 掺杂的CsPbI3@PS 复合纤维薄膜

全无机卤化物钙钛矿材料(CsPbX₃, X=Cl, Br, I) 由于其优异的光学性能, 在光电领域具有广阔的发展前景,但全无机钙钛矿量子点对水、空气等外界环境特别的敏感限制了其发展。因此, 提高全无机钙钛矿量子点的稳定性非常重要。通过掺杂Zn²⁺ 取代CsPbX₃中的部分Pb, 进一步包覆聚苯乙烯(PS), 然后利用静电纺丝技术制备出Zn掺杂CsPbI₃@PS 复合纤维薄膜。CsPbI₃纳米晶在聚合物纤维中原位生长, 制得的PS 电纺薄膜不仅具有CsPbI₃ 钙钛矿量子点的荧光性质, 而且其稳定性显著提高, 可保存2 个月仍具有荧光效果, 并且实现其在白光二极管(WLED)器件上的应用。     

有线电视芯片超强图形图像新型应用

本文介绍了有线电视芯片未来在图形应用发展方面的趋势,为了适应市场更前沿的视频及图像技术的发展,有线电视芯片要如何利用图形处理器在TVOS操作系统上实现多方面的新型应用,兆芯针对如何发挥拥有自主知识产权的图形处理器的性能优势这一问题,提出了一些新型应用并进行探讨,同时对未来图形应用及有线电视芯片行业的发展进行展望.     

纳米材料模拟酶应用进展

天然酶是人体活细胞产生的微量蛋白质,正是由于酶的存在,生物体的日常运行才能有序进行。目前,酶在生物医药、催化和检测等领域有着广泛的应用。然而天然酶存在易失活、稳定性差、合成困难、纯化复杂、价格昂贵等缺点,阻碍了其大规模应用。近几十年来,纳米材料模拟酶作为新一代人工酶,由于其稳定性高和重复性好等优点,逐渐成为天然酶的替代品。纳米材料模拟酶在许多领域发挥着重要作用,本文重点介绍了纳米材料模拟酶在电化学传感领域检测O₂^·-和丹参酸,还可以检测谷胱甘肽、葡萄糖、胆固醇以及H₂O₂等生物小分子,在环境污染防治领域中能够有效检测重金属盐类和农药的含量,纳米模拟酶还能够通过检测特定序列的DNA对癌症、病毒感染等疾病做出提前预防。今后的重点研究方向将聚焦在纳米模拟酶之间的偶联、反应机理研究、优化酶反应环境和解决底物选择性等方面。     

高端健康养老项目适地性、适老性设计实践——以茗阳健康养老中心为例

本文章从养老建筑发展情况,提出了养老建筑需求的多样化,并指出了高端健康养老项目适地性和适老性的设计原则。并且在茗阳健康养老中心设计中,利用温泉资源、森林资源、水库资源、气候环境进行了适地性规划,建筑上将健康和养老功能相结合,取得了一定的实践经验。     

自对准掺磷多晶硅栅MOS器件的辐照加固

众所周知,工艺步骤强烈地影响MOS氧化层的辐射容限。本文介绍用离子注入法形成自对准多晶硅栅MOSFET源漏区的效果。抗辐射强度有规律地随n~ 和p~ 离子注入能量及掩蔽的多晶硅层厚度的变化而变化。对固定的多晶硅层厚度,存在一个使器件的性能和抗辐射特性最佳的注入能量,而其它注入能量往往会使抗辐射强度降低。这已为电容实验所证实。在总剂量为3×10~5拉德(Si)的辐射时,用这里介绍的最佳辐射加固工艺制造的n沟道器件阈值电压从-6.1V降到-1.8V。而在1×10~6拉德(Si)的辐射时,P沟道器件的阈值电压降低了4.5V。在1×10~6拉德(Si)的辐射中,8位运算器(ALU)器件仍能很好地工作。     

基于全寿命周期的变压器资产原值建模分析

从设备寿命周期费用的角度即以经济效益为中心来管理变压器。变压器寿命周期成本包含建设成本、运行成本、维修成本及废弃成本。使用计量经济学软件SPSS通过线性回归和关系式拟合估算的方法,并通过具体的算例得到了影响变压器资产原值的一般模型,以便更精确地对设备和系统进行评估,把寿命周期成本降到最低。