AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响

采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大。对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱。GaN的(0002)_ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)_ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降。(10-12)_ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,A1N成核层的厚度较大时会降低刃型穿透位错密度,并减弱c轴方向的压应变状态。     

福州住宅应用土壤源热泵的全年能耗与可行性分析

以福州地区典型的单户住宅为实例,在全年逐时建筑负荷计算的基础上,进行空气源热泵和地源热泵的全年能耗分析,并在此基础上进行两者的经济性比较。结果表明,从全年能耗比较,土壤源热泵比空气源热泵节能15%,其中夏季节能13%;冬季节能20%。尽管土壤源热泵机组的季节性能比SE-ER高于空气源热泵,但由于福州冬季室外气温较温和,夏季地温偏高,土壤源热泵的节能效果不及夏热冬冷地区明显,并且初投资回收期较长,经济可行性较差。     

高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究

研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入效率饱和。采用AlN过渡层技术,外延生长了表面无裂纹的45%Al组分较厚(100～200nm)AlGaN薄膜材料。所得材料的Al组分与气相Al组分相同,(0002)面X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半高宽(FWHM)为376arcsec,并发现AlN过渡层的质量影响着其上AlGaN材料的Al组分与晶体质量。实验观察到AlGaN材料的表面形貌随着样品中Al组分的增加从微坑主导模式逐步转变为微裂主导模式,采用AlN过渡层可延缓这一转变。     

重庆北碚某生态山庄设计策略的探讨

研究的住宅规划用地位于重庆缙云山国家级风景名胜区和自然保护区与北碚城区的交界地带,地理位置特殊。为了保护缙云山的自然生态环境、有效防止掠夺性的开发、实现住区的．可持续发展,提出将山庄建设成为环保、景观、住区三位一体园林式生态人居示范小区的目标。然后,围绕上述实施目标,着重从生态环境保护、营造健康人居环境和建筑节能技术三部分,探讨性地提出相应对策和具体措施。     

联合气调包装贮藏草莓实验研究

本实验采用冷藏条件下联合自发气调包装(CMP)方式对贮藏草莓进行了研究,贮藏15d的实验结果表明,与纯冷藏相比,联合气调包装保鲜方式可以有效降低采后草莓的呼吸强度和腐烂率,有效地保持了采后草莓的硬度,提高其耐贮性.     

原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究

采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。     

福建地区太阳能资源特征及光热利用分析

分析福建典型气象年数据,结果表明：福建地区太阳辐射和日照时数的空间分布由沿海城市向内陆西北地区减少;太阳辐射和日照时数时间分布为夏秋季较大,冬春季较小;采暖季节的气候环境温度较高,热状况较为优越。最后,分析了福建地区太阳能热利用的现状,提出了促进太阳能热利用的措施。     

福州住宅应用土壤源热泵的全年能耗与可行性分析

以福州地区典型的单户住宅为实例,在全年逐时建筑负荷计算的基础上,进行空气源热泵和地源热泵的全年能耗分析,并在此基础上进行两者的经济性比较。结果表明,从全年能耗比较,土壤源热泵比空气源热泵节能15%,其中夏季节能13%;冬季节能20%。尽管土壤源热泵机组的季节性能比SE-ER高于空气源热泵,但由于福州冬季室外气温较温和,夏季地温偏高,土壤源热泵的节能效果不及夏热冬冷地区明显,并且初投资回收期较长,经济可行性较差。     

外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究

石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体,具有诸多优异的特性,从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温CVD设备,先在4H-Si C衬底上外延生长一层2~10μm厚的碳化硅,然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长,从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象,并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及X射线光电子能谱等表征,验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。     

道化学安全评价法的改进及其软件实现

道化学公司火灾爆炸危险指数（F＆EI）评价法是在化学工业领域应用广泛的一种安全评价方法,根据该方法制定的指数选取规则可以对工艺单元的火灾爆炸危险性进行量化和相对分级。本文针对道化学安全评价法流程繁琐,手工计算量大,物性参数查找困难,数据一旦选定难于修改等问题,设计并开发实现了道化学安全评价法的计算机应用软件,物性参数数据库使用国际通用的化学品安全技术说明书MSDS数据库,软件可自动查询相关物性参数,实现了道化学法安全评价的自动化,操作便捷、快速。通过对某乙烯生产流程中的乙二醇反应器进行计算机辅助的道化学法安全评价,证明了该评价软件的工程实用价值。