红土隔水层相似材料优化配比研究及应用

红土隔水层模拟材料的相似性是研究隔水土层裂缝发育规律的基础和前提。为提高红土隔水层相似材料模拟的相似性,以陕北榆林某矿隔水层裂缝发育规律为研究对象,采用优化配比试验、数据拟合分析和现场实测等研究方法,对红土隔水层相似材料最优配比进行研究。通过实验室测试和现场测试,验证优化前后隔水层模拟材料的相似性。研究结果表明:沙土比为1∶5,机油含量为19.5%时,相似模拟材料单轴抗压强度与红土相似度达98.5%;当骨胶比为7∶1,沙土比1∶5,相似模拟材料含水率和膨胀率与红土相似度可达85.4%和84.5%;红土隔水层相似模拟材料的最优配比为骨胶比7∶1,沙土比1∶5,机油19.5%,相似比1∶200与红土隔水层材料相似度达92.5%;实验室和现场实测验证发现,优化后红土隔水层相似材料比原相似材料模拟效果提高50%,模拟试验的隔水层裂缝发育特征与现场观测基本一致。该研究可为红土隔水层裂缝发育规律研究提供借鉴和参考。     

国家新能源示范城市——新疆吐鲁番示范区项目一期起步区运行实施效果分析

本文通过对新疆吐鲁番示范区一期起步区项目建设运行效果的分析,对项目前期研究提出的发展目标和技术路线进行验证,为后期建设提供指引,并为推广可再生能源规模化利用模式提供基础。     

肋栅真空荧光显示器图形设计基础

讨论了肋栅的工作原理，建立了圆环形栅极的数学模型，定性分析了沿阳栅两电极中轴线的电场分布，指出通过调整器件的有关参数，总能在通过图形的轴线上找到合成电场强度为零的点，使得肋栅控制阳极的显示得以实现。结合实验结果，介绍了各种图形的设计方法和注意事项。     

塑料缸盖罩透射及结构辐射噪声

为了研究缸盖罩透射噪声及结构辐射噪声之间的关系,对某典型四缸汽油机的塑料缸盖罩在最大功率工况下（6 000 r/m）靠近螺栓处的表面振动速度进行测量,利用多体动力学计算整机振动得到该处振动速度结果并与试验进行对比,证明计算结果与试验基本吻合,通过该仿真结果计算出缸盖罩声压级.利用覆盖法对能对顶面声压带来影响的部件进行屏蔽,只保留缸盖罩不屏蔽,对缸盖罩在相同工况下进行声压级的测量.将计算所得声压级（结构辐射噪声）与测试所得声压级（总辐射噪声）结果进行对比分析.结果表明,透射噪声主要分布于频率1 500~3 000 Hz,结构辐射噪声主要分布于500~1 500 Hz利用有限元法及边界元法计算缸盖罩隔声量对该结论进行验证,得到缸盖罩隔声量在1 500~3 000 Hz处迅速下降,与分析结果吻合.     

汽油机活塞二阶运动分析及优化设计

为了降低活塞二阶运动并寻求优化措施,综合考虑裙部润滑摩擦状况、活塞体径向刚度、活塞体及缸套热态型面影响,建立某汽油机活塞组件动力学模型,采用数值仿真方法进行分析研究.从换向平稳性、运动平稳性、活塞敲击能和摩擦损耗4个方面对活塞二阶运动计算结果进行评价.分析在多种工况下（1 200、4 200、6 000 r/min）活塞裙部型线、配缸间隙和活塞销偏置对活塞二阶运动的影响,以敲击能和摩擦损耗为主要评价标准,提出相应的优化思路.结果表明：优化后的裙部型线使活塞的径向位移和角位移有一定幅度减小,径向位移最大值在3种工况下分别降低了22.2%、19.8%、21.2%,角位移最大值降低了12.9%、13.3%、23.6%;活塞对缸套的动态敲击力在优化后也有明显降低,为活塞整体优化提供可靠依据.     

导电PMMA/ATO纳米复合材料的制备及性能

以掺锑二氧化锡(ATO)粉为导电填料,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基体,采用原位聚合法制备了导电PMMA/ATO纳米复合材料;分析了ATO粉的预处理对复合材料导电性能的影响,并对其热性能和力学性能进行了研究。结果表明,延长球磨时间,可大幅度降低复合材料的体积电阻率;ATO纳米粒子的加入使PMMA主分解温度范围变窄,残余量增大,热稳定性提高;随着纳米粒子含量的增加,复合材料的储能模量提高,玻璃化温度降低。第二分相促使ATO颗粒在基体中形成明显的导电网络结构,使导电性能得到进一步提高。     

热释电红外摄像机斩波调制电路的设计

本文提出了热释电红外摄像机斩波调制的电路模型，并对此电路模型进行了具体的电路设计和分析。     

宽低温STN—LCD加热装置的研制

本文介绍了宽低温ＳＴＮ－ＬＣＤ加热装置的设计和制备方法，并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析，相应的研究结果表明此法有利于拓宽ＳＴＮ液晶显示器的负温工作范围。     

热蒸发制备高质量透明氧化铟导电薄膜

从置于低氧压真空中的 In+In_2O_3源里,借助热蒸发技术已制成高透射率(在可见光范围内透射率超过90%)和高导电性(电阻率(?)2×10~(-4)欧姆·厘米)的氧化铟(非掺杂)薄膜。其特性可与曾报导过的最佳的掺锡氧化铟薄膜相媲美、甚至更好,并有极好的重复性。虽然电子浓度相当高(≥4×10~(20)/厘米~3),但霍尔效应测量表明:低电阻率主要是良好的电子迁移率((?)70厘米~2/伏·秒)所致。X 射线衍射测量清楚地表明:多晶氧化铟结构具有一个从10.07到10.11埃的晶格常数范围。电解质电反射率光谱至少显示出四个临界跃迁。根据这些跃迁我们确定了直接与间接的光学能带隙(分别为(?)3.56和2.69电子伏特)。同时还观察到导带电子密度所致的 Burstein 位移。文章就上述及其他结果与工艺过程细节的讨论一道报导。