燃煤锅炉SCR脱硝过程对颗粒物和痕量元素的影响

选择性催化还原（SCR）技术广泛被应用于燃煤电厂NOx减排,而SCR脱硝技术对颗粒物（PM）的影响尚不清楚。在两台300 MW煤粉锅炉机组SCR反应器的入口和出口进行了颗粒物现场采样,分析了SCR脱硝过程对PM的质量粒径分布和痕量元素含量的影响。研究结果显示,SCR脱硝过程产生NH+4,SO2+4等组分并部分转化为颗粒物,促使0.1 μm以下颗粒物团聚、长大,导致0.3 μm以下颗粒物的峰值粒径由0.1 μm增大到0.3 μm,同时使S含量显著升高,最终导致0.3 μm以下颗粒物浓度升高约30.67%。烟气中部分0.3 μm以上颗粒物在SCR反应器中受惯性碰撞作用而分离,使其浓度降低0.06%~33.11%,但峰值粒径和组成成分不变。SCR反应器入口烟气中的气态痕量元素在脱硝过程中向颗粒物转移,引起PM中痕量元素含量变化。实验条件下,经过SCR反应器后,0.3 μm以下颗粒物中Cd,As,Pb含量分别升高104.15%,12.26%和12.18%,而Cr含量降低23.38%;0.3 μm以上颗粒物中各痕量元素含量均略有升高。     

混流式水轮机机组运行稳定性区域检测

水电机组在带负荷运行过程中,水力机械振动会引起机组不稳定运行。为了掌握水电厂机组运行稳定性情况,需对其进行变负荷真机试验。在某水电厂3#混流式水轮机机组空载、满负荷等13种运行工况下进行试验,现场实测各运行工况下振动、摆度和压力脉动的变化,并分析机组运行稳定性及存在的缺陷。结果表明,从机组振动、摆度、压力脉动数据和现场评估综合分析,该试验机组稳定运行区间为25～40 MW。研究为机组安全、稳定运行提供了一定的技术依据。     

BHPO预裂爆破机理研究及工程试验

通过分析岩石爆破机理及工程实验提出大炮孔预裂导向的爆破方法,即BHPO预裂爆破方法。方法是集露天大孔径深孔预裂爆破及普通预裂爆破优点的新型预裂爆破模式,是目前预裂爆破改进完善的新技术。BHPO预裂爆破方法是建立在现代力学的基础之上,可以更好的达到保护边坡的目的。     

智慧矿山设计创新构想

本文介绍了智慧矿山设计构想在车间采矿、运输、碎矿、选矿、尾矿、物业、办公等方面的应用,该设想的关键创新点全息投影技术的应用,该技术在矿业领域的应用对矿业发展具有重要作用。     

220MW热电联产锅炉中痕量元素的迁移及分布特性

本实验在北京某220 MW热电联产锅炉上进行。采用承重撞击器系统对该锅炉SCR前、ESP前以及FGD前的颗粒物进行采集,研究了痕量元素在烟道沿程上的迁移特性,另外,还给出了痕量元素在各固体燃烧产物中的分布。结果表明：ESP前的颗粒物上As、Cd、Cr和Pb的浓度明显高于SCR前的浓度;在从SCR到ESP的过程中,As、Cd、Cr、Pb从气态迁移到固态的质量分别占到了原煤中总质量的26 %、16 %、12 %和11 %;从ESP到FGD的过程中,颗粒物上As与Cd的浓度有略微增加,而Cr和Pb的浓度几乎不变;Mn在三个采样点的浓度几乎一致;绝大部分痕量元素存在于ESP捕获的飞灰中,在ESP出口处,As、Cd、Cr、Pb在<10 μm的四个粒径段上的质量随着粒径的减小而增大,而Mn的质量分布与颗粒物质量分布类似。     

降水对土质边坡稳定性的研究

通过土力学抗剪强度理论和极限平衡方法简要地阐明了降水对土质边坡稳定性的影响,得出一种简单的分析方法,结合司家营研山铁矿东侧土质边坡实例,提出降水引起地下渗透水位上升和基质吸力下降是土质边坡失稳的主要原因。     

安徽电信移动网络投诉处理管理体系的构建与实践

通过剖析安徽电信移动网络投诉处理存在的问题,全面优化了投诉处理工作流程,从投诉预处理、投诉结果闭环管控、考核与评价等方面建立了管理体系,实现了用户投诉现象与投诉原因的准确定位、投诉处理结果闭环管理。实践验证表明,该管理体系实现了运营商服务水平和用户感知的双提升,具有较大的应用价值。     

水利工程监理旁站检查要点

阐述了水利工程监理人员,在水库工程施工监理过程中旁站检查的重点,和应该注意的要点工序和重点部位.     

DSP并行引导加载方法的研究

本文简单介绍了TMS320VC5402 DSP的各种引导加载方法,重点叙述了TMS320VC5402的并行引导加载方式,结合实例给出了创建系统引导表的具体步骤,提出了一种基于FLASH的TMS320VC5402在线编程实现16位并行引导加载的方法,并给出了硬件连接原理图和FLASH在线烧写的C语言程序.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ