金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善

导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效，改善电阻温度系数α，在生产实践中控制工艺参数及关键工序（镀膜、热处理、刻槽、涂漆）的质量，其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材，Ｈ靶：α从大于１５０×１０－６℃－１调整在±６０×１０－６℃－１之内；Ｆ靶：α从大于２００×１０－６℃－１调整在±１２０×１０－６℃－１之内，提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。     

石英管上SnO_2薄膜面功率密度的优化工艺

利用化学喷涂工艺在石英管材上制作SnO2薄膜,成膜时在石英管表面和SnO2薄膜的界面上形成Si扩散层,随着成膜时间、固化温度的改变,Si扩散层的厚度不同,直接影响薄膜电阻率的改变,严重制约着薄膜面功率密度的改善。通过对形成Si扩散机理的3个阶段的分析,找出了Si扩散的主要因素,提出了5项防止Si扩散的控制措施,对批量生产和提高薄膜面功率密度有一定的参考作用。     

云南澜沧老厂矿区资源可持续开发利用对策

云南澜沧老厂矿区近年资源勘查取得重大突破,不但传统资源量得到较大幅度的增加,还在深部发现新的中型规模Cu矿体和具大-超大型潜力的斑岩Mo(Cu)矿体,矿山资源危机缓解,矿山发展出现新机.在分析资源现状、资源潜力及其可持续利用的基础上,本文根据矿区矿产资源的地质特征、勘探程度和开发利用难易程度等方面的不同,将其分为传统资源、近期接替资源和中长期接替资源.指出:对传统资源要尽可能增储保产,最大限度延长服务年限;对近期接替资源通过探-采结合,逐步开采利用;对中长期接替资源要加速勘查和综合评价,最终完成资源的安全接替.     

管状半导体薄膜电热元件在通水通电中发生打弧故障原因和排除故障

管状半导体薄膜电热元件是一种新型的热式电热水器，它具有水电分离、安全可靠、热效率高和节能等优点，得到广泛应用。本文对制作过程中的打弧故障导致废品率高达15％的失效机理进行了分析研究，并提出了有效的预防措施，对降低生产成本、提高成品率有一定的参考价值。     

石英管上SnO2薄膜面功率密度的优化工艺

利用化学喷涂工艺在石英管材上制作SnO2薄膜，成膜时在石英管表面和SnO2薄膜的界面上形成Si扩散层，随着成膜时间、固化温度的改变，Si扩散层的厚度不同，直接影响薄膜电阻率的改变，严重制约着薄膜面功率密度的改善。通过对形成Si扩散机理的3个阶段的分析．找出了Si扩散的主要因素．提出了5项防止Si扩散的控制措施，对批量生产和提高薄膜面功率密度有一定的参考作用。