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1.
2.
本文叙述从富Te溶液往CdTe衬底上液相外延(LPE)(CdHg)Te时,作为原位洗涤熔体的Bi溶液的应用。在此场合,铋具有若干优点:ⅰ)在LPE的生长温度下(~460℃),CdTe在其中的溶解度可以获得一个合适的清除速度(~10μm/min)。ⅱ)清除洗涤熔体彻底,由此可避免对随之而来的生长溶液的沾污。ⅲ)它的蒸汽压很低。ⅳ)它的分凝系数很小,所以,由Te生长溶液吸收的任何少量的Bi都只会非常少量地进入(CdHg)Te外延层中。已用二次离子质谱分析法(SIMS)和Hall测量对衬底作过洗涤熔体处理后生长的外延层进行了评价。  相似文献   
3.
加速旋转坩涡技术已用于Hg_(1-x)Cd_xTe的THM生长,以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率,可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术(ACRT)周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究,结果表明,把生长速率从1.5mm/d提高到8.5mm/d时,其性能并无衰变。  相似文献   
4.
利用缺陷的化学腐蚀和透射电子显微镜,研究了x为0.2到0.3的Hg_(1-x)Cd_xTe合金中Te的沉淀,这种合金是在过量Te的条件下,用固态再结晶法制备成的。在再结晶退火温度下的淬火过程中出现了碲的沉淀。淬火初期,由于沉淀物在原有位错上成核而产生沉淀作用,这种沉淀作用形成了位错蜷线,而沉淀物处于蜷线环之内。在这些沉淀物缺陷中,发现了碲的三斜晶系相和三角形相,以及孪生基体相。淬火后期,依附某个杂质,无论是同质的还是异质的,都会出现一个附加的成核机制,形成体晶中的复合缺陷。在随后约300℃的再退火过程中,碲沉淀消溶并形成填隙金位错环和不全位错环。沉淀过程和随后的再退火都使位错明显倍增。  相似文献   
5.
首次研究了一种水平移动加热器法(THM)从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触,强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的THM材料相当。  相似文献   
6.
在1987年8月,我国首次在空间微重力条件下的材料加工试验中,航天工业部三院八三五八所成功地进行了一次MCT晶体生长试验。这次试验是与航天部五院五一○所合作进行的。由五一○所提供晶体生长设备,航天工业部三院八三五八所提供实验方案、实验样品和结果分析。根据五一○所提供的温场条件和降温速度较快的特点,考虑到MCT晶体生长的特殊性,航天工业部三院八三五八所确定了在空间微重力条件下将MCT多晶试样重熔、再铸锭,然  相似文献   
7.
预裂爆破中最佳空孔间距的选择   总被引:1,自引:0,他引:1  
预留空孔是预裂爆破的常用方法,空孔间距的选择关系到爆破效果的好坏.从理论上研究了空孔的应力集中效应,得出了在空孔壁上时只有炮孔连线方向才有应力出现.分析了空孔间距与爆破参数选取的关系,基于爆炸力学和弹性力学知识从理论上推导出了最适宜的空孔间距.通过具体的算例得出了采用预留空孔爆破时2装药孔之间的间距为868.6mm,没有预留空孔时2炮孔之间的距离为543.4mm,因此预留空孔能够明显提高炸药的能量利用率.  相似文献   
8.
一、发明的特点本发明的液相外延生长装置具有以下特点: (1) 在由外管和内管组成的双层管的内管中放置液相外延生长器具。内管和外管之间只有很小的间隙可以使气体流通,而且使内管的一端与汞蒸汽源相通,在外管的周围有几个  相似文献   
9.
计算机模拟了碲镉汞薄膜的液相外延生长过程。着重比较两种基本生长方法:等温过饱和淀积和一般的受控冷却法。如果仔细选择生长条件,受控冷却获得的生长速度最恒定。在过冷度较小的情况下,采用适当的生长速度,等温生长能在整个淀积层给出恒定的组分。  相似文献   
10.
用定向凝固法在横向磁场中垂直生长Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体。通过测量这些晶锭轴向和径向组分的变化,研究了磁场对该熔体中流体流动性质的影响。磁场的影响在整个外加场强范围内(即2~5kG)都是明显的。当外加上磁场时,CdTe克分子分数的轴向组分分布(用精密的密度测量结果确定)急剧下降,用红外透射和X射线能量色散光谱术测绘的径向组分分布表明:当外加上磁场时,固-液界面经历了三个阶段的演变,即:当磁场初加时,它从径向对称的一种凹形界面变成一个偏心的凹形,然后变成一种倾斜的平面,最后变成一个偏心的凹形界面。一根Hg_(0.84)Zn_(0.16)Te晶锭的轴向组分分布表明了类似的磁场效应。  相似文献   
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