新研发定向自组装技术扫清14nm节点障碍

正由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布,已经开发出一种新颖的自组装技术,该技术之前仅在实验室进行实验,但现在已经能针对14 nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。藉由解决芯片微缩过程中一项艰难的光刻挑战—即连接半导体和基板的微型接触过孔—这些斯坦福大学(StanfordUniversity)的研究人员展示了一款22 nm的实作电路,声称可朝14 nm转移,而且还能直接朝10 nm以下节点发展。     

半导体“0.5D”的距离有多远

正近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统晶片,令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D晶片,似乎经过几年的酝酿,目前开始看到该技术的开花结果。只不过,Altera台湾区总经理陈英仁指出,这些其实都是属于2.5D的制程,不是真正3D的技术范畴。3D制程的技术含量更深,目前仍是个很大的挑战。陈英仁说,目前FPGA大厂所标榜的3D晶片,其实都只是2.5D制程技术,     

无线视频传输的容错编码研究

基于无线视频监控传输技术进行无线信道视频图像传输的过程中,经常面临数据传输错误、带宽变化、网络拥塞导致的视频数据丢失问题,严重影响了图像质量。Joint Video Team(JVT)of ISO/IECMPEG and ITU-T VCEG提出了可伸缩视频编码(SVC),可实现视频空间、时间和图像质量的完全伸缩,本文结合率失真优化算法将可伸缩编码作为容错工具,引入了不同层数据,根据B-D代价函数决定自动重传机制,降低了视频数据丢失对图像质量的影响。仿真结果表明,该方法大大提高了视频码流的抗误码能力和传输的鲁棒性。     

应用材料公司拓展RFPVD技术实现22纳米晶体管触点制造

近日,应用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%     

美国空军计划研制HPM导弹

9月初,波音公司和雷声公司分别从美空军航空武器中心(AAC)赢得一份价值100万美元的合同,进行非动能电子对抗(NKCE)概念开发。根据合同,两家公司将为美空军的一种新型航空武器进行需求定义,该武器利用高功率微波(HPM)波束替代爆炸物。     

罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。     

IBM即将发布2 GHz石墨烯集成电路未来有可能取代CMOS电路

据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型射频集成电路。乔治亚大学纳米研究中心的教授James D.Meindl称CMOS工艺线宽在到达7 nm时将无以为继,而石墨烯工艺将是下一代集成电路制造方法的首     

明年全球半导体营收将成长5%达3180亿美元

市场研究机构IDC表示,明年全球半导体市场营收将成长5%,为3180亿美元,并预计将以6%的年复合成长率(CAGR)持续成长到2015年,达到3780亿美元的规模。IDC表示,尽管全球经济发展仍有隐忧,包括美国的高失业率引起的消费疲     

12英寸硅片制造向18英寸过渡

美国应用材料CEO Mike Splinter日前表示,他预计12英寸硅片制造向18英寸过渡或在2015-2017年时段开始。他同时告诫半导体生产商,必须避免以前8英寸硅片制造向12英寸过渡时发生的一些问题(主要是芯片生产商和设备厂商在计划协调上的不同步)。Mike Splinter同时透露,应用材料明年将正式开始