W波段带状注扩展互作用速调管三维MAGIC研究

带状注扩展互作用速调管通过采用宽高比值很大的带状电子注来降低空间电荷效应,采用多间隙结构来增加功率容量,是一种高频率、高功率的微波真空放大器件。本文利用CST Microwave Studio与MAGIC设计了2π模W波段带状注五间隙扩展互作用谐振腔,重点研究了五间隙谐振腔关键结构参数对谐振腔特性阻抗与谐振频率的影响,并对器件稳定性与带状注双腔速调管注波互作用特性进行了三维MAGIC仿真与分析。最后,在电子注电压为19.5 kV,电流为3.5 A时,获得大于8 kW的输出功率、23 dB左右的增益。     

废杂铜氨性蚀刻溶铜工艺研究

研究了在CuCl2-N H3-N H4 Cl和CuCl2-CuSO4-N H3-N H4 Cl体系中蚀刻废杂铜,考察了蚀刻液组成、铜氨溶液中初始离子质量浓度、温度、溶液流动状态、蚀刻液 pH 等因素对铜溶解速率的影响。结果表明：CuCl2-NH3-NH4Cl体系中,在铜质量浓度120～165 g/L、氯质量浓度150～200 g/L、pH 8．0～8．5、温度45℃、强化流动条件下,废杂铜的蚀刻速率为0．25 g/（min · L ）;CuCl2-CuSO4-N H3-N H4 Cl体系中,在铜质量浓度35～75 g/L、氯质量浓度35～80 g/L、p H 10．0～11．0、温度45℃、强化流动条件下,废杂铜的蚀刻速率为0．33 g/（min · L ）。     

高性能钕铁硼永磁体制备工艺的研究

对采用速凝厚片技术制备钕铁硼合金,并在制备过程中添加抗氧化剂和润滑剂来制备高性能钕铁硼磁体的方法进行了研究.研究结果表明,在厚度0.3 mm的合金中,添加0.04%抗氧化剂及0.03%润滑剂时,可获得剩磁Br为1.405 T、内禀矫顽力Hcj为1181 kA/m、最大磁能积(BH)max为370 kJ/m3的钕铁硼永磁体.     

M2Al2SiO7∶Eu2+(M=Ca,Sr)荧光粉的合成和发光性质的研究

采用传统的高温固相法合成了一系列M2 Al2SiO7∶Eu2+(M=Ca,Sr)荧光粉,并系统地研究了其结构、漫反射光谱、激发光谱、发射光谱及浓度猝灭和温度猝灭特性.研究结果表明,M2Al2SiO7∶Eu2+(M=Ca,Sr)的激发光谱均在250～300 nm和350～450 nm范围内具有两个宽的吸收带,与近紫外LED芯片发出的紫外光相匹配.Ca2Al2SiO7∶Eu2+和Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光粉的发射峰分别为位于约536 nm黄绿光和487nm处的蓝绿光,它们的发射峰归属于Eu2+的5d-4f跃迁发射.Eu2+在M2Al2SiO7(M=Ca,Sr)中的最佳掺杂浓度均为x=0.005.Ca2Al2SiO7∶Eu2+和Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光粉在375 K时的发光强度分别为室温时的69,和68,.     

工艺技术对钕铁硼磁体性能影响的研究

对采用添加元素、氢破和烧结工艺制备烧结钕铁硼永磁体进行了研究,结果表明,添加Dy和Cu可以提高磁体的矫顽力,氢破工艺可以提高磁体剩磁以及改善剩磁曲线的方形度,合适的烧结温度可以提高磁体的密度和剩磁.将这三项优化组合可以提高磁体的最大磁能积.     

工艺技术对钕铁硼磁体性能影响的研究

对采用添加元素、氢破和烧结工艺制备烧结钕铁硼永磁体进行了研究,结果表明,添加Dy和Cu可以提高磁体的矫顽力,氢破工艺可以提高磁体剩磁以及改善剩磁曲线的方形度,合适的烧结温度可以提高磁体的密度和剩磁.将这三项优化组合可以提高磁体的最大磁能积.     

程潮铁精矿浮选降硫试验研究

武汉钢铁（集团）公司程潮铁矿生产的铁精矿含硫约0.3%,为使其降至0.1%以下,进行了实验室浮选试验。试验结果表明：采用乙黄药与丁黄药的混合药剂作为捕收剂直接进行浮选,可使程潮铁精矿硫含量降至0.095%,但捕收剂用量需500 g/t;将铁精矿磨至-400目占82%后再浮选,则捕收剂用量可减少为200 g/t,而且铁精矿硫含量进一步下降到0.080%。     

纳米晶稀土贮氢合金高倍率放电性能的研究

对快淬法制备的纳米晶贮氢合金的高倍率放电性能进行了研究.结果表明,该贮氢合金7C放电比容量不低于260 mA·h/g,高倍率放电率不低于90%,循环寿命大于600次;10C放电比容量不低于230 mA·h/g,高倍率放电率不低于80%,循环寿命大于500次.X射线衍射分析和金相分析结果表明,该贮氢合金呈均匀的单一CaCu5型相结构,晶粒尺寸小于50nm,为柱状晶结构.     

层状Li[NixLi1/3-2x/3Mn2/3-x/3]O2(1/6≤x≤1/2)的制备

对用快淬法制备的层状Li[NixLi1/3-2x/3Mn2/3-x/3]O2(1/6≤x≤1/2)进行了详细地研究,通过正交实验确定了材料的最佳合成工艺条件.将在950℃制备的层状LiMn0.5Ni0.5O2组装成电池,以0.5C充放电,其放电比容量可达到143 mA·h/g.     

高性能钕铁硼永磁体制备工艺的研究

对采用速凝厚片技术制备钕铁硼合金,并在制备过程中添加抗氧化剂和润滑剂来制备高性能钕铁硼磁体的方法进行了研究.研究结果表明,在厚度0.3 mm的合金中,添加0.04%抗氧化剂及0.03%润滑剂时,可获得剩磁Br为1.405 T、内禀矫顽力Hcj为1181 kA/m、最大磁能积(BH)max为370 kJ/m3的钕铁硼永磁体.