水电站水库最优调度中河川径流的随机描述

本文讨论径流皮尔逊Ⅲ型条件概率分布曲线的计算方法。本文根据河川径流变化的马尔柯夫性质和概率论及水文统计原理,推导了考虑两个相邻时段相关的径流正态型条件概率分布的计算公式,提出了径流皮尔逊Ⅲ型条件概率分布的计算步骤及相应的计算机程序框图,介绍了可行性检验的项目及其结果。实际检验表明,本法不但是可行的,而且具有可以快速实现和通用的优点。     

V2O5薄膜的电学性质及其应用

综述了Ｖ２Ｏ２薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。     

SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究

本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2~(2-)和O~-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果.     

InP表面等离子体CVD淀积SiO2膜的界面结构及C—V特性

报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。对ＳｉＯ２／ＩｎＰ界面态进行了Ｘ射线光谱（ＸＰＳ）分析和Ｃ－Ｖ特性研究。     

GaAs原子层外延技术的现状及发展

综述了原子层外延(ALE)技术的现状及其发展趋势。研究了晶体生长的程序设计和实验装置、生长的动力学模型及反应机制。对ALE薄膜的组成和结构进行了Raman和质谱分析。采用SPA原位诊断技术控制ALE的晶体生长,可有效地实现选择外延和图形化的晶体生长。大量实验表明:ALE技术可以实现原子级尺寸的超薄层晶体外延生长。用此技术已成功地研制出GaAs/GaAlAs量子阱器件。     

复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏特性研究

本文研究了复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏特性。复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏性能较复合钒酸好,而且基电阻随相对湿度的增加而减小,添加正硅酸乙酯（TEOS）对其湿滞有明显的改进作用,含5wt%TEOW的薄膜的湿滞加差最小。同时器件的响应恢复较快。XRD分析表明复合钒钼酸干凝胶薄膜具有层状结构。     

溶胶-凝胶法制备V2O5为基体的薄膜材料及其应用

综述了以V2O5为基体的薄膜材料的制备方法、结构及其特性,介绍了该材料在湿度传感器、电压开关和锂电池等领域的应用。     

有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在19V下器件亮度可达40000cd/m2,外量子效率达3。4％。     

有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在１９Ｖ下器件亮度可达４００００ｃｄ／ｍ２,外量子效率达３．４％．     

薄膜型TMA气体传感器的研制

本文报道了采用等离子体ＣＶＤ方法制备Ｆｅ２Ｏ３／ＴｉＯ２薄膜材料，并用浸渍法对表面修饰了Ｉｎ，制成了检测鱼鲜度ＴＭＡ的薄膜气传感器，并具有很好的灵敏度，等。