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1.
实验研究了当充入不同组分的各种气体压强时,氦氖激光管着火电压与极间距离的关系,得出四组着火特性曲线,并作了讨论。  相似文献   
2.
沈辉  陈菊芳  郑广富 《电源技术》2007,31(10):767-771
S.Wagner等[1]在1974年第一次报道了单晶CIS太阳电池,其效率为12.5%.1976年,美国的L.L.Kazmercki发表了第一块效率为6.6%的薄膜CIS/CdS太阳电池[2].  相似文献   
3.
报导了研制成功的SiO_2掩蔽的电极条形结构GaAs—AlGaAs双异质结侧面发光二极管的制造工艺,主要电光参数及稳定性和可靠性。该器件在100mA工作电流下输出光功率最高的达2.4mW。工作电流一般可达200mA,最好的可达400mA。辐射率S在200mA下高达1490w/cm~2sr。室温下工作寿命可达1×10~4小时。  相似文献   
4.
以GaAs单晶为衬底的GaAlAs三元系红外光短波长双异质结半导体激光器,目前已走上实用化阶段.这种激光器的各种特性参数已基本上能满足应用系统的需求,它的应用开发领域正在越来越广.但是,这种半导体激光器目前还相当昂贵,价格远高于象晶体管之类的半导体器件,主要是因为制造的成品率很低,重复性和均匀性很差.为使这种半导体激光器更广泛地走向实用化,必须找出高可靠性高成品率和重复性好的器件制造方法,其中关键的技术是激光晶片的制造.我们采用液相外延技术制作这种激  相似文献   
5.
研究和分析了温度对GaAIAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。实验结果表明:在-40℃~ 40℃范围内,随着温度的升高,激光器串联电阻下降率9.6×10~(-3)欧姆/℃,阈值电流变化率0.54mA/℃,激光峰值波长向长波漂移率2.78(?)/℃,外微分量子效率保持不变;在20~70℃范围内,阈值温度系数I_(th)(70℃)/I_(th)(20℃)约1.3,特征温度T_o约202℃,外微分量子效率不变。最高连续工作环境温度可达150℃。阈值电流变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上还相当稳定。本文还研究了自脉动和功率扭析现象等。  相似文献   
6.
我厂生产的B 665刨床组装后,工作台水平移动对底座支承面的不平行度,超差较大,返修比较困难,针对以上问题,我们制造了简易铣磨工具(图1),主体架2用钢板焊接而成,塔形皮带轮带动铣磨头进行铣削(速比1:3.5)或磨削(速比1:1)。使用时将刨床调平,拆下工作台支架,利用工作台侧面孔将工具固定在工作台上,并使工具A  相似文献   
7.
本文论述了仙桃市域城镇体系的现状、发展历史和发展机制,城镇体系规划的指导思想和原则,城镇化水平预测方法、城镇体系的等级规模结构、职能结构和空间布规划及其发展战略。  相似文献   
8.
大学是学校教育的最高层次。大学阶段结束以后,学生将走向社会,担负起建设祖国的重任,由一个长期受教育的人转为一个为社会作贡献的人。大学4年的思想政治教育,是围绕学生成才这个中心进行教育的一个整体,但不同年级的学生,在学习,生活和心理特点上又有所不同。如何依据党的教育方针和社会对大学生政治素质的要求,根据不同年级学生的特点,有针对性地提出具体要求,进行循序渐进的思想政治教育,使  相似文献   
9.
半导体光电技术的产生,是半导体电子技术进入一个崭新的历史发展阶段的必然趋势。半导体光电技术的产生,如同当年晶体管的出现一样,对整个电子技术领域具有深刻的影响,是推动科学技术发展的一门新兴的边缘学科。日、美等资本主义国家把半导体光源,光接收,光波导,集成光路及光导纤维等基础理论及技术的研究,称为“光波导电子学”。目前各国对这方面的研究非常重视,从事这个工作的人员很多,投资很大,成为当前科学技术研究的一个“热门”。我国的半导体光电技术的发展与应用,已取得了一定的成绩,但还必须加快步伐赶  相似文献   
10.
太阳电池新材料新方法   总被引:5,自引:0,他引:5  
该文叙述了发展低成本,高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点,详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程,给出了在香港政府创新科技基金资助下的第一阶段所取得的成果,实验结果已证明:采用这种简单而新颖的电淀积方法能制得光伏用的多晶半导体CIGS薄膜材料,通过测试确定了这种材料具有四方晶体结构,特征峰为(112),(204,220)的多晶CIGS材料,已测得连续分布的薄膜层厚约1.6um,晶粒的平均大小约2um长,具有太阳电池所需的材料质量,实验还 :此法可重覆生产出厚度和质量相近的CIGS薄膜,该文也做了有关技术 的讨论和分析,这种新式的材料和薄膜技术对生产商品化低成本,高效率薄膜太阳电池无疑是非常有希望的。  相似文献   
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