广西烟草内生细菌的动态分布及其对烟草疫霉的拮抗作用

从广西百色市的9个烟草品种中分离出470株内生细菌菌株,经常规细菌鉴定方法和16S rDNA序列分析,获得的菌株分别属于肠杆菌属(Enterobacter)、沙雷氏菌属(Serratia)、芽孢杆菌属(Bacillus)、土壤杆菌属(Agrobacterium)、寡养单胞菌属(Stenotro-phomnas)和假单胞菌属(Pseudomonas),其中土壤杆菌属和肠杆菌属为烟草内生细菌中的优势种群。烟草内生细菌的类群和数量随烟草种植地点、品种、器官和生育期的不同而不同。烟草内生细菌在根部数量最多,其次是茎和叶。内生细菌的总量从缓苗期到旺长期增加,之后显著下降。从470株烟草内生细菌菌株中筛选出对烟草疫霉有拮抗作用的菌株56株,其中芽孢杆菌菌株Y10的抑制效果最好,抑制率达91.48%,室内盆栽防治效果为68.72%。     

热交换器防垢涂层材料的研究进展

热交换器是工业中传热传质的重要设备,广泛应用于各个领域,但热交换器表面易结垢的问题严重影响了其运行效率。表面防垢涂层技术是解决热交换器表面结垢的一个重要研究方向。本文简要介绍表面涂层材料表面特性（表面能、接触角、粗糙度、耐腐蚀性）对基体表面结垢行为的影响,为揭示不同材料表面结垢行为差异提供依据;同时,对防垢涂层材料的类型及研究现状进行总结分析,为热交换器表面防垢涂层材料研究提供理论支持。     

锂离子电池成组及一致性管理研究现状与展望

归纳和总结锂离子电池和电池组模型、电池成组和电池一致性优化控制的研究方法和存在的问题。同时,对电池一致性管理研究趋势进行展望。提出应根据储能系统实际运行工况和电池成组方式,充分考虑电池连接方式、极柱引出位置、连接件阻抗等,优化电池组模型,提高模型精度。并根据模拟和实验结果,优化电池成组方式和控制策略,解决制约储能产业发展的电池组技术瓶颈。     

废旧磷酸铁锂材料的固相再生及电化学性能研究

热处理废旧电池正极片除去黏结剂后得到回收材料,在对回收材料元素定量分析的基础上,通过添加不同比例的Li、Fe、P源进行高温固相再生反应获得再生材料,研究杂质对再生材料的影响并优化再生反应原料比例。实验结果表明,再生反应过程中生成了Fe₂P杂质,该杂质衍射特征峰随着添加的Li、Fe、P源比例增加逐渐减弱;过多Li、Fe、P源添加时,导致再生材料结构致密性严重,Fe₂P杂质存在及材料结构过于致密,均降低了再生材料的容量性能。回收材料、化学计量比再生材料、过量元素源（1：1）再生材料首次放电容量分别为103.4、115.8和134.0 mA·h·g^-1,再生反应后分别提高了11.99%、29.59%。上述三种材料50次循环后放电容量分别为100.9、108.0和115.3 mA·h·g^-1。     

工作温度对磷酸铁锂电池SOC影响及研究进展

储能电池在新能源并网、新能源汽车等产业领域发挥着重要作用,为了对电池进行有效地控制与管理,需要配备必要的电池管理系统,电池荷电状态（SOC）是其中最为重要的一环。磷酸铁锂（LiFePO4,LFP）电池SOC与多个影响因素密切相关,呈强非线性,本文重点归纳温度对磷酸铁锂电池SOC的影响。首先将工作温度对开路电压、实际容量、充放电效率、自放电率及电池老化等电池特性的影响进行归纳总结,随后通过对工作温度的影响规律进行分析、总结和归纳,基于经典“开路电压 + 安时积分”法将温度参数直接或间接引入到SOC的实时估算模型中,得到考虑温度参数的新模型,进而提高电池SOC的估算精度。     

浅谈加强园林工程绿化及养护管理

随着我国经济的快速发展,人民的生活水平不断提高,同时对生活环境质量的追求也日益增高,随之而来的就是大量园林工程的涌现。由于园林工程的大量涌现,使城市环境得到了提升。纵观几年来新建设的园林工程,不乏精品,但也有很多不尽如人意之处。如何提高园林工程质量,加强园林养护管理,创建精品工程,是许多园林公司急需解决的问题。     

电梯再生电能的储能回收控制策略研究北大核心CSCD

电池储能是电梯再生能量回收利用的有效方式,针对应用中储能系统容量优化问题,基于回馈电能功率/能量以及变换器电压等约束条件确定电池组边界条件。在此基础上,通过引入制动电阻辅助分流以及电压动态调整的方法,研究了吸收释放再生电能过程的控制策略,并在Matlab/Simulink中搭建仿真模型。仿真结果表明该控制方法可在稳定直流供电网电压的前提下实现再生能量的高效利用,同时有效减少电池系统容量和成本。     

集成电路中栅介质膜的C—V测试误差分析及其修正模型

通过具有各种串联电路的ＭＯＳ电容的分析测试表明：串联电阻引起ＭＯＳＣ－Ｖ特性畸变，失真，并与介质膜电容大小有关；串联电容使ＭＯＳＣ－Ｖ特性严重不稳定；而当存在电容和电阻并联的串联电路时，即使串联电路中的电阻高达１ＫΩ以上，只要其并联的电容远大于介质膜电容，这个串联电路的影响就可以抱略不计。也测试分析了硅衬底参数和测试环境对ＭＯＳＣ－Ｖ特性的影响。指出了改善测试分析准确性的各种有效途径。提出了ＭＯＳ