10 kV真空断路器永磁机构驱动电路设计

为提高断路器可靠性和智能化水平,减少操作机构故障率,设计基于EXB 841的10 kV真空断路器永磁机构IGBT驱动电路。在分析智能化电网和高压断路器各部件故障类的基础上,对比弹簧机构反力特性、永磁机构反力特性与真空灭弧室反力特性,分析永磁机构电压平衡方程和运动方程,设计10 kV真空断路器永磁机构IGBT驱动电路,并测试驱动效果。试验结果表明:驱动电路设计合理,能够可靠驱动IGBT导通和关断。     

化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜

近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由【001】取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜。薄片厚度在50～100nm。性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×103Sm-1和-98μVK-1。该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础。     

Yb_yCo_4Sb_(12)/Yb_2O_3热电复合材料的高温稳定性研究

采用高温熔融/热处理并结合SPS烧结工艺制备了Yb名义组分为0.6的Yby Co4Sb12/Yb2O3填充方钴矿复合材料,纳米或亚微米Yb2O3颗粒主要分散在方钴矿晶界上。研究了873 K下低氧分压高温处理对样品的热电性能与微结构的影响。热处理后样品的电导率、赛贝克系数、热导率基本保持不变,块体材料内部纳米与亚微米尺度微观结构未发生明显变化,未发现填充方钴矿结构中的Yb元素的"大量逸出"与氧化,材料的高温ZT值保持在1.2左右。TEM观察发现Yby Co4Sb12填充方钴矿晶粒内存在大量的位错,由位错产生的内应力有可能对Yb离子从晶格孔洞的逸出以及Yb离子和O离子的扩散产生阻碍作用,从而抑制了在高温低氧分压下Yby Co4Sb12的内氧化,使得高Yb含量的Yby Co4Sb12/Yb2O3复合材料的高温稳定性比低Yb含量填充方钴矿材料更佳。     

一种新型太阳能电池组件层压机混合加热系统

层压机的加热温度是保证太阳能电池组件质量的关键参数.为解决目前现有工作台的加热系统对工作台表面温度均匀性控制不够精确、易在电池内部产生气泡、影响产品质量和使用寿命的问题,设计了一种混合控温太阳电池组件层压机加热系统,系统由油电混合加热系统、油温自动测控系统和温度设定与显示系统等组成,其基本原理是利用电热丝对工作台进行加热,同时利用油液作为导热介质进行加热温度补偿,从而使加热均匀性得到有效控制,其温度均匀性控制精度可达±1.2℃以内.     

基于VB6.0与SQL Server的汽车制造企业MRP系统开发

根据汽车制造行业的实际生产要求,结合MRP的基本理论,开发出一套基于VB6.0为前台,SQL Sewer2000数据库为后台的企业MRP系统.系统以生产订单作为驱动,能够自动生成月采购计划和月主生产计划,同时系统具有一定的普遍性,适用于其他的一些制造行业.     

计及电热综合需求响应的综合能源系统优化调度

综合能源系统能够提高系统运行的灵活性,提高对大规模风光等可再生能源的消纳。本文针对电热负荷的可调度性提出了一种考虑调度人员参与下的电热综合需求响应模型。首先对可时移电负荷的群聚合特性进行建模,以调度信号与负荷群聚合特性模型的偏差值最小为目标函数。再根据人体对温度的感知具有模糊性这一特点构建了热负荷调度模型。算例结果表明,考虑调度人员期望信号的综合需求响应提高了新能源的消纳且降低系统的运行成本,更大程度上减轻了各机组频繁调节出力的压力以及抵偿新能源出力的变动。     

三代酸法稀土分离工艺改进和发展过程

本文介绍稀土分离三代酸法工艺改进发展过程，主要针对工艺的技术、设备、质量、产量、收率。完善优化工艺过程，研究开发新产品，提高技术经济指标。     

加快企业信息化建设势在必行

企业加强信息化建设要有紧迫感，也要注意从实际出发，要避免盲目性和少走弯路，避免造成浪费。     

SPS技术原位制备Ti3SiC2相增强陶瓷材料

Ti3SiC2具有优良的性能,作为复合材料增强相可以进一步提高材料性能.提出制备Ti3SiC2增强复合材料的一种新思路,即利用放电等离子体烧结(Spark Plasma Sintering,简称SPS)原位反应烧结制备Ti3SiC2增强纳米复合材料.利用SPS技术已经成功制备了Ti5Si3/TiC/Ti3SiC2,TiSi2/SiC/Ti3SiC2,SiC/Ti3SiC2等纳米复合材料,并且考察了材料的显微结构和力学性能.     

硅酸钙陶瓷的SPS烧结及其力学性能

以硝酸钙和硅酸钠为原料，采用化学共沉淀法合成了适合作为生物材料的硅酸钙粉体，并利用放电等离子体烧结工艺（Spark Plasma Sintering）烧结硅酸钙陶瓷（常温相为β相）。为了探讨合适的烧结工艺参数，分别采用了不同的烧结温度（850～1000℃），不同的保温时间（1～10min）和不同的加载压力（20～50MPa）进行烧结。测了这一系列不同烧结工艺参数下得到的块体的抗弯强度、硬度、断裂韧性等力学性能。结果表明，在950℃可以制得很致密的硅酸钙材料，其力学性能比其它方法得到的材料大为提高。延长保温时间及增加烧结压力，抗弯强度和硬度均在一定范围内增加，而断裂韧性则呈现相反趋势，因此，要根据材料的应用需要来确定最佳工艺参数。