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1.
2.
针对矿用高压变频器常因 IGBT 模块内部发生局部放电而导致故障的原因和特性进行了研究。 本文从微观角度观察了 IGBT 模块局部放电发生位置的结构特点,发现其结构绝缘薄弱处在高斜率阶跃脉冲作用下易发生局部放电现象;建立了 IGBT 模块在阶跃脉冲作用下的局部放电过程模型,揭示其发生局部放电的机理;搭建实验平台,测试 IGBT 模块在单个脉冲作用下的局部放电特性。 实验结果表明,脉冲的上升时间、脉冲宽度是影响局部放电起始电压的主要因素;根据实验数据的分析,提出了预测局部放电起始电压的计算公式。 研究结果可为煤矿电力电子设备 IGBT 模块的绝缘设计和使用时的电压限制提供参考依据。 相似文献
3.
讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体11B的信号可达1.8×107 cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体11B的信号可达1.0×107 cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择70Ge+,Se选择82Se+,Cd选择111Cd+,Sn选择119Sn+,Ag选择109Ag+,Pt选择194Pt+。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。 相似文献
4.
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6.
利用四极质谱计测试了国产金属铍材在 10 0℃~ 6 0 0℃不同温度下的真空出气成分及相对含量 ,实验得出铍的大量出气主要在温度 4 0 0℃~ 5 0 0℃之间 ,其放出气体的主要成分按放气量大小依次为H2 O ,CO2 ,N2 ,CO ,Ar和H2 ,利用限流小孔半定量的计算了铍材的出气量。 相似文献
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8.
前苏联及现在的乌克兰生产有一款价格低廉的12 0型单镜头反光专业照相机———基辅 6 0。基辅 6 0型照相机是一款设计结构合理 ,操作简便可靠 ,适合于室外快拍的中画幅单反照相机 ,它就像是一架放大了的 135单反照相机 ,全机械全金属结构 ,结实耐用并拥有完整的配套镜头群及多种附件可供选择。早在上个世纪 70年代末 ,原苏联就生产有一款基辅 6C型 12 0单反专业照相机 ,它配有光学结构 6片 4组双高斯对称型 ,焦距 90mm ,最大相对孔径1∶2 8的维佳牌标准镜头。成像质量很好 ,但个别镜头拍彩片时有些偏黄色。基辅 6C型照相机可以说是基辅 6 … 相似文献
9.
<正> 因为铝电极的声阻抗与水晶的声阻抗比较匹配,所以水晶表面波压力传感器大都使用铝电极。可是,若机械地照搬晶体管和固态压力传感器的热压键合工艺,利用硅铝丝作为引线材料进行热压,那么由于硅铝丝和铝膜外面有一层氧化膜不易去除,使焊接点出现假焊而不牢;倘若采用金丝作引线,那么在高温工作时焊接处将 相似文献
10.