SNP标记用于猪肉产品DNA溯源

采用基于个体基因组DNA序列的差异而进行个体识别的DNA溯源技术,建立DNA溯源系统对肉产品的质量安全进行控制。在实验群体中(10个品种,233个个体)检测了33个新单核苷酸多态性(single nucleotide polymorphism,SNP)标记的遗传多样性,通过杂合度计算筛选出6个SNP标记可用于猪肉产品DNA溯源。进一步在屠宰场采样进行溯源模拟实验,结果表明筛选的18个SNP标记(6个新SNP标记结合已有的12个SNP标记)能有效区分100头猪个体,随机抽取的10个个体的组织样品都能通过基因型比对找到对应的个体。本研究可为早日建立猪肉产品的DNA溯源系统提供一定的技术参考。     

基于纳米材料的电化学免疫传感器及其在蛋白质检测中的研究进展

电化学免疫传感器是将传感技术与免疫分析相结合的一种快速定性或定量检测待测物的方法。近年来,随着纳米材料的迅速发展,电化学免疫传感器应运而生,其更灵敏、更轻便、特异性更强,在蛋白质检测领域具有更广阔的应用前景。本文重点介绍了电化学免疫传感器构建原理,并对基于新型纳米材料的免疫传感器的研究进展及其在蛋白质检测中的应用进行综述,同时展望该领域的发展方向,以期为蛋白质的快速检测提供技术参考。     

a-C:F:H films prepared by PECVD

Fluorinated amorphous hydrogenated a-C:F:H carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF4 and CH4 as source gases and were annealed in a N2 atmosphere. The properties of these films were evaluated by FTIR spectrometry, UV-VIS spectrophotometry and single-wavelength spectroscopic ellipsometry. A correspondence relativity connection between the deposition rate and technology was found. The chemical bonding structures and the content of CHx and CFx in the films are transformed and the optical band gap decreases monotonically with increasing temperature after annealing.The dielectric constant is increased with decreasing content of F in the films and the optical band gap is decreased with decreasing the content of H in the film.     

Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT： first-principles study

1 Introduction Mercury cadmium telluride (Hg1?xCdxTe, MCT) is currently one of the most widely used semiconductor materials for infrared detector arrays. It is well known that the applications of the semiconductor materials, especially for Ⅱ-Ⅵ compound…     

脉冲激光诱导液—固界面反应制备金刚石纳米晶

采用液体水中激光熔蚀固体石墨靶的方法，制成晶形较好的六方金刚石相和立方金刚石，还观察到一种柱状纳米金刚石晶体。     

高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3 O12 (BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管.晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流I.n=25 μA,场效应迁移率μsat=0.3 cm2·V-1·s-1.BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因.     

脉冲激光诱导液—固界面反应制备石墨相C3N4

透射电子显微镜（TEM）、高分辨电子显微镜（HREM）和X射线光电子谱分析表明,通过脉冲激光诱导液氨－石墨靶界面反应首次合成了石墨相C3N4。观察到了石墨相C3N4的TEM形貌;对石墨相C3N4晶面间距的实验和理论计算值进行了比较,两者非常吻合。     

液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶

本文提出一种独特的激光熔蚀法即在液体中激光熔蚀固体靶制备纳米晶，并且首次在氨水中激光熔蚀石墨靶制备出氮化碳纳米晶。透射电镜（ＴＥＭ）和高分辨率电镜（ＨＲＥＭ）分析表明制备的氮化碳纳米晶由α－Ｃ３Ｎ４、β－Ｃ３Ｎ４和Ｇｒａｐｈｉｔｅ－Ｃ３Ｎ４晶粒组成。     

a-C∶F∶H films prepared by PECVD

1　INTRODUCTIONRecentadvancesinultralargescaleintegrationdevices(ULSI)haveledtoaneedfornewintercon netionsmaterialswithlowresistivityandinterlayermaterialswithlowdielectricconstanttoreducetheinterconnetiondelay ,interfere ,noiseandwastagecausedbyparasiticcapacitance .ReplacingAlintradi tionalAl/SiO2 systemwithCu ,ithasreachedaunanimousagreement .MaterialsunderresearchtoreplaceSiO2 mainlycontainPTFE ,SiOF ,F PIanda C∶F∶H .PTFE(κ≈2 .0 )andSiOF(κ≈3.0～3.5 )havelowdielectric…     

钛酸铋铁电薄膜的改性及其复合薄膜的磁电耦合效应研究

对铋层状钙钛矿结构钛酸铋无铅铁电薄膜的制备、改性、失效行为,以及钛酸铋-铁酸钴多铁复合材料进行了研究。通过分析A位和B位离子的极化率和半径关系,设计了一系列复合掺杂钛酸铋基无铅铋层状钙钛矿铁电体系,并制备出了一系列性能优良的单掺杂和复合掺杂的钛酸铋基无铅铁电薄膜,结果表明A位La~(3 )、Nd~(3 )、Eu~(3 )掺杂,B位V~(5 )、Zr~(4 )、Mn~(4 )都可以明显提高薄膜的性能,特别是A位Nd~(3 )掺杂可以很好地提高剩余极化强度和抗疲劳性,B位Mn~(4 )掺杂可以降低矫顽场和漏电电流,有望突破无铅铁电薄膜的应用瓶颈;同时,研究了铁电薄膜及其在辐照条件下的疲劳、保持性能损失和印记失效等失效行为,提出了一个能合理解释印记失效的双界面层的理论模型;还利用化学溶液沉积法制备了不同复合结构(颗粒复合和层状复合)的Nd掺杂钛酸铋/铁酸钴多铁薄膜,并研究了不同复合结构中的磁电耦合效应,研究发现在铁电/铁磁多铁复合材料中,铁电/铁磁界面处两种不同材料之间的原子相互耦合对磁电耦合效应具有很大的贡献。