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2.
3.
本文提供了双级、高频率、高功率、8.76GHz行波管放大器的研制结果。本工作扩大了以前对单级放大器所报导的数据资料,并对两个同样的放大器彼此隔断串联工作特性提供了新的数据。在该器件整个脉冲持续时间内,获得410MW的峰值功率,电子束微波能的转换效率为45%。在所有的工作条件下,隔离放大器显示了微波辐射频谱边带现象结构。在单级器件中也出现类似现象,输出功率超过70MW。边带频率对中心频率不对称。最大的单频平均输出功率是210MW,相应效率为24%。本文也提供了模拟数据,它表明在本工作中采用短的放大器和常规低功率放大器的特性存在重大区别。其中包括有限长度对增益特性影响,这可以构成放大器的窄带宽和出现边带。也发现电子束的群聚长度是放大器总长度的一个重要部分。 相似文献
4.
矿井提升机监控系统研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究和设计了一种新型的矿井提升机监控系统,实现了对提升容器实时位置、运行速度、提升方向、抱闸间隙等参数的监控,并针对如何实现准确的速度保护,给出了相应的解决方案。 相似文献
5.
基于自主研制的0.25 μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50 Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件.测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0V栅极工作电压下,2~4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46%,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc. 相似文献
6.
7.
随着社会的进步、科技的发展,为适应电气线路日趋复杂、配线出口位置多的实际需要,必须推出一种新型的布线方式,地面内金属线槽线便应运而生。 相似文献
8.
斛彦生王毅银军倪涛余若祺董世良王浩杰 《通讯世界》2023,(3):97-99
介绍了一种C波段高效率GaN功率放大器的设计流程。该功率放大器为满足小型化尺寸要求,采用高介电常数的钛酸锆陶瓷实现功分器匹配电路,通过无源集总元件(integrated passive device,IPD)技术,创新性地将栅极匹配电容和二次谐波匹配网络集成在同一芯片尺寸内,采用Lange电桥合成构成平衡结构的小型化功率放大器载片。整个功率放大器在15.0 mm×9.2 mm×2.0 mm的载体内实现。测试结果显示,在工作电压36 V、输入功率40 dBm、脉宽1 ms、占空比30%条件下,4.4 GHz~5.0 GHz频带内饱和输出功率在145~166 W,功率增益在10~10.6 dB,功率附加效率大于56%,最高功率附加效率达到59.3%。 相似文献
9.
为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2 000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管芯最优阻抗,采用T型匹配网络和功率分配/合成器将管芯阻抗匹配到50Ω。在工作电压60 V、占空比1‰、脉宽5μs测试条件下,9.0~9.4 GHz频段内输出功率大于2 000 W,最大功率密度达到10.4 W/mm,功率增益大于7 dB,功率附加效率大于37.2%。 相似文献
10.