矸石架头主钢梁变形分析及校正

淮北矿业集团公司许疃煤矿是年产300万t的现代化大型矿井,建井期间,为了减少工业广场面积,节约土地,主副井的泥浆都倾倒在矸石山地基下面,淮南矿业集团公司矿井的矸石山也有类似情况.     

基于连续逻辑的模糊自动控制系统

本文提出用多元逻辑电路(DYL)直接实现的模糊自动控制系统。它把输入模拟量进行模糊量化,根据人对被控对象的控制经验进行模糊决策,得到模糊量化的控制量,变换成模拟量输出,去控制被控对象。系统无需进行模数和数模变换,结构简单,调节方便,适于联机实时控制调节。     

薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系

本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。     

MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟

本文建立了MLS隧道器件的电流-电压特性的数值模拟程序,提出了一种新的计算方法:龙格-库塔数值积分与边界条件的预估-校正处理相结合的算法.利用建立的程序模拟计算了两种不同氧化层厚度的MIS隧道器件的电流-电压特性.对TiW/Si肖特基二极管,考虑了界面态的静态和动态影响,模拟特性和实验结果相比,令人满意的一致.     

一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路

本文实现了一种无隔离区的DYL MOS混合集成的新电路。考虑到多元逻辑电路的主要基本单元线性“与或’门和MOS集成电路的自隔离特点,只要对它的工艺过程稍加调整,即可在同一芯片上制成了互相隔离的适合线性“与或”门需要的大,小β晶体管和P沟道MOS晶体管。用这种集成技术,在N型硅片上试作了由双极晶体管和P沟道MOS晶体管组成的反相单元。这种电路工艺简单,可与DYL线性“与或”门在工艺上兼容,具有输入阻抗高、输出阻抗小,并可和DYL电路与TTL电路相容等优点。     

GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能

本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．     

SOI结构中的薄体效应

本文使用计算机模拟技术,研究了SOI结构中各部分的电势分布和载流子分布.模拟结果表明:对于有均匀掺杂的P型再结晶硅膜的SOI结构,当硅膜厚度小平相应的最大耗尽层厚度时,会出现“薄体效应”.它表现为:在内层氧化层厚度一定时,再结晶膜愈厚,阈电压愈高;在再结晶膜厚度一定时,内层氧化层愈厚,阈电压愈低,最后达到一个定值,与内层氧化层的厚度无关.正界面电荷进一步降低了由P型再结晶膜构成的SOI结构的阈电压.模拟计算表明,为使SOI结构不出现薄体效应,设计原则就是使适当掺杂的再结晶膜厚度大于最大耗尽层厚度.在硅膜厚度小于最大耗尽层厚度时,为使薄体效应的影响减小,应该采用比较低的硅膜掺杂浓度,比较厚的内层氧化硅层.模拟计算表明,利用薄体效应,可以形成以单晶硅为衬底的,阈电压较低的新型薄膜MOS晶体管.模拟计算还表明,对于薄硅膜的SOI结构,用耗尽层近似推出的阈电压公式是一个简单和比较准确的公式.     

硅衬底厚度和背接触势垒高度对MOS电容器性能的影响

通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的P型硅衬底MOS电容器进行了数值模拟,研究了衬底厚度和背接触势垒对衬底内的电势分布和载流子密度分布的影响.模拟计算结果表明,在硅衬底厚度超过两倍最大耗尽层厚度时,背接触与正界面之间存在一个电中性区,背接触不会影响MOS电容器的性能;在硅衬底的实际厚度比两倍最大耗尽层厚度要小的情况下,背接触势垒对MOS电容器性能有明显的影响:当背接触势垒高度为零伏或负值时,MOS电容器的强反型阈电压随着硅衬底厚度的减薄而增加;当背接触势垒高度为正值时,随着硅衬底厚度的减薄,会出现阈电压先减小后增加的现象.     

水下球面阵的多波束形成研究

首先建立了多阵元球面阵的简化模型,研究其多波束形成的特点,然后对实际模型进行实验研究,结果表明,由于各种误差的影响简化模型和实际模型有一定偏差,但在误差允许范围内,可以直接应用理想模型的权值对实际球面阵进行加权.     

任意结构基阵波束优化的稳健性分析

分析了任意结构基阵波束优化的稳健性。首先从理论上推导了阵列误差、权向量误差和权向量范数等因素与波束旁瓣畸变之间的关系,并利用优化波束的白噪声增益和权向量范数之间的关系,提出了任意结构基阵波束优化时权向量范数约束上限的选取方法。针对圆阵进行了大量的计算机仿真,分析了不同权向量范数约束条件下获得的优化波束的稳健性,证明了理论推导的正确性。