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用溶液法合成了3种不同结构的水杨醛类席夫碱填料,并分别与2种粘合剂丙烯酸(AAS)和环氧树脂(EP)通过喷涂法制备出6种涂层;为了研究粘合剂AAS和EP对水杨醛类席夫碱涂层的发射率和热致变色性能的影响,我们通过红外光谱仪和紫外-可见光谱仪表征水杨醛类席夫碱填料微观结构;TG-DSC表征填料稳定性;并分别测量了20~240℃范围内填料和涂层的热致变色情况以及在3~5?m和8~14?m波段的红外发射率。结果表明,两种粘合剂的加入对热致变色几乎没有影响。EP与填料形成的涂层更接近填料的发射率。综合考虑发射率和热致变色两个因素,EP更适合作为粘合剂与水杨醛席夫碱类填料形成热致变色涂层。 相似文献
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以环氧改性有机硅为树脂基体、铝粉为填料,制备可在常温下固化的红外低发射率涂层。研究不同固化剂对涂层发射率、光泽度、力学性能及耐温性能的影响,得出各性能随固化剂变化可遵循一定的规律。由结果可知,酚醛胺固化剂制备的涂层综合性能较优。 相似文献
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以羰基铁粉作为颜填料,聚氨酯作为树脂基体,制备雷达/红外兼容隐身单涂层,分析羰基铁粉的形态、含量以及球磨时间对涂层红外低发射率以及雷达吸波性能的影响。结果表明:未球磨时,颜填料质量分数为60%,涂层厚为2 mm,在18 GHz处其涂层反射率的最小值达-9.3 dB,其涂层的红外发射率为0.85;球磨16 h,羰基铁粉由球状变为片状,质量分数为60%,其涂层的红外发射率降低至0.69,雷达吸波性能略有降低。羰基铁粉有望成为红外/雷达兼容隐身材料。 相似文献
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利用Mn O2、Fe2O3、Co2O3、Cu O过渡金属氧化物为原料,采用高温固相烧结法制备高发射率填料。用XRD、SEM对所制备的填料进行结构和形貌表征,并用发射率仪测试填料的发射率性能。结果表明:当Mn O2质量分数为50%,在1 150℃的高温下保温3 h时制备的具有尖晶石结构的红外辐射粉体的发射率较高,在3~5μm波段600℃测试时发射率为0.98。 相似文献
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Semiconductor pigment of Cd-Zn-S is synthesized through the solid state reaction method and its structure and surface morphology is characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope(SEM). It is demonstrated that the crystal lattice of the product is hexagonal. When the heat treatment temperature increases, the distortion of crystal lattice reduces. The samples annealed at different temperatures agglomerate to different degrees while the one annealed at higher temperature agglomerates clearly. The infrared emissivity of Cd-Zn-S at two window-bands of 3-5μm and 8-14μm is researched. The researched result shows that the infrared emissivity of Cd-Zn-S in 8-14μm wave bands is much higher than that in 3-5μm wave bands. The infrared emissivity decreases with the increasing of heat treatment temperature, which reason is that with the increasing of temperature, the infrared absorption decreases and the scatter by the particles rises. 相似文献
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制备了V2O5含量为0.25%(摩尔分数)的双组元ZnO压敏陶瓷,采用电子自旋共振谱(ESR)研究了V2O5中V离子的价态变化.结果表明,V离子是一种受主杂质,热处理后,其价态产生了变化,尤其是在655℃热处理时价态变化程度最明显,与V2O5的差热分析(DTA)结果相吻合.差热分析显示,V2O5在655℃存在一相变吸热峰,此时样品的低价态V离子的ESR信号最强.V-I非线性测试结果也显示,低价态V离子ESR信号越强,宏观非线性系数越大.V2O5同时起着液相添加剂的作用,使ZnO-V2O5压敏陶瓷在900℃致密化. 相似文献