预氧化对DBC基板的影响及敷接机理研究

随着绝缘栅双极型晶体管等功率器件的发展,对陶瓷敷铜基板(DBC)的需求越来越大。分别介绍了DBC基板的种类、结构,预氧化工艺对DBC基板的影响和敷接机理。用扫描电镜、X射线衍射等分析手段确定铜箔表面氧化后的物相成份,用X射线扫描确定敷接后界面空洞,并分析产生空洞的原因。用SEM观察界面的形貌并进行断面分析,用XRD和X-RAY分析界面产物的物相成份,从而确定DBC基板的敷接机理。     

（TAGH）ClO4的结构、热力学及感度性能

以三氨基胍和高氯酸为原料,合成了三胺基胍高氯酸盐(TAGH)ClO_4).利用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构.结果表明,晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=1.021 3(11)nm,b=1.486 9(15)nm,c=1.093 6(11) nm,β=102.91(2)°.该化合物的分子式为CH_9ClN_6O_4是由三胺基胍离子和高氯酸根结合形成的离子化合物,分子中含有大量的氢键.利用元素分析、红外光谱、DSC、TG-DTG等方法对标题化合物的组成和热力学行为进行了表征,结果表明,在10 ℃/min线性升温速率下标题化合物在457.03℃时质量损失达到99.7%.感度实验结果表明,标题化合物具有较低的摩擦感度,在撞击和火焰作用下均不发火.     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。     

CQFN封装可靠性研究

介绍了CQFN封装结构特点,指出了CQFN制造加工中热沉和外焊盘设计和加工是关键因素,需要进行特别的过程控制,并对加工中存在的热沉底部与陶瓷底面共面性控制、外焊盘电连接方式不同引起的相关可靠性问题进行了说明。对CQFN封装器件在板级组装过程中存在的热应力、桥连等可靠性问题进行了分析,指出了CQFN外壳组装后的焊点检测困难和器件失效后的返工困难问题。CQFN封装具有良好的电特性和热特性、体积小、重量轻等优势,其应用呈快速增长趋势,文章为高速高频器件CQFN封装提供了参考。     

三氨基胍系列含能化合物的研究进展

三氨基胍是一种非叠氮类、富氮型、可燃性化合物,其系列含能化合物具有高的正生成焓、热稳定性好、氮含量高等特点。参考了53篇文献对三氨基胍盐及其配合物的结构特点、制备方法、理化性质、爆炸性能及其在含能材料中应用的最新研究成果进行了综述,为该类含能材料的研究和发展提供参考。