《交通运输业》教学设计

●创新整合点在整个教学过程中主要运用交互式电子白板进行课件的制作,运用了电子白板的资源库功能、拖动、视频播放、双笔书写等功能,进行点拨、对比和拓展,开阔了学生的知识面。同时引导学生利用互联网搜集资料,分析和归纳资     

AISI 304奥氏体不锈钢活性屏离子渗碳

利用活性屏离子热处理技术对AISI 304奥氏体不锈钢进行低温离子渗碳(AS-PC)处理,可以在不锈钢表面形成一层无碳化铬析出的碳的过饱和固溶体(Sc相)。处理后的奥氏体不锈钢可以在不降低耐蚀性能的基础上大幅度提高不锈钢表面的硬度,并解决了不锈钢直流离子渗碳温度均匀性差,工件存在边缘效应等问题,ASPC渗碳试样表面基本可以保持原色。     

超声珩磨颤振稳定性影响因素分析北大核心

功率超声振动珩磨颤振直接影响工件的表面质量和加工精度。以超声珩磨油石为研究对象,建立了超声珩磨再生型颤振的二自由度动力学模型,获得了极限稳定条件;基于Matlab软件分别分析了主轴转速、固有频率、刚度、阻尼比、径向力系数、往复速度、超声振幅、超声频率对超声珩磨稳定性的影响规律。研究有助于抑制或避免珩磨颤振的发生。     

光纤电压传感器传感头优化与热致非互易误差抑制

针对普通光纤电压传感器在外界温度扰动下其输出精度和稳定性会受到严重影响这一问题,本文提出了一种采用保偏光子晶体光纤(polarization maintaining photonic crystal fiber,PM-PCF) 作为传感光纤的传感头优化方法抑制温度扰动下的系统非互易误差。在综合考虑PM-PCF与传统熊猫型保偏光纤(panda polarization maintaining fiber,panda-PMF) 尾纤间的熔接损耗、传输损耗以及现有工艺条件下的光纤制备等问题的基础上,优化得到了与panda-PMF间的熔接损耗低至0.14 dB的PM-PCF;并对比分析了这两种保偏光纤的双折射温度依赖特性,建立了全光纤类型的光学电压传感器(fiber optic voltage sensor,FOVS) 热致系统误差输出模型,分析验证了PM-PCF在解决反射式逆压电型FOVS热致非互易问题的可行性。结果表明,采用PM-PCF优化后的FOVS热致非互易误差约是传统保偏光纤电压传感器 的10-2量级。这在提高系统输出精度和稳定性等方面具有显著优势,同时这种低损耗的优化方法在光纤传感及通信等领域具有重要的应用价值。     

国际热核聚变实验堆磁体线圈终端盒的设计

线圈终端盒（CTB）是国际热核聚变实验堆超导磁体系统的重要组成部分，其内部组件的漏热常常是整个磁体系统的主要漏热源之一，在很大程度上决定着低温系统的液氦消耗量。本文从降低热负荷的角度对CTB内部冷屏、超导电流传输线、电流引线、阀及冷却管路、外部盒体的设计进行了详细阐述，为最终结构的确定提供了理论依据。     

单颗磨粒划擦SiCf/SiC陶瓷基复合材料的试验研究

为研究SiC纤维(SiC_f)增强SiC陶瓷基复合材料(SiC_f/SiC)的磨削损伤机理,搭建试验平台开展单颗磨粒划擦试验,测量划擦力并观察其表面损伤形式,研究磨粒形状、划痕深度和SiC_f取向对复合材料磨削机理的影响。试验结果表明:SiC_f/SiC陶瓷基复合材料的划擦损伤形式主要有基体崩碎、纤维裂纹、断裂和拔出等。在SiC_f/SiC陶瓷基复合材料划擦过程中,尖锐状磨粒的划擦力更小,且整条划痕的表面损伤范围较扁平状磨粒的小。用扁平状磨粒划擦但纤维取向γ= 0°时,划痕形貌中纤维断裂、纤维拔出等损伤形式出现较少。      

河北南埝峪金银矿成矿模式及找矿潜力分析

文章通过对河北省涞水县南埝峪金银矿区域地质背景、矿区地质特征、矿体地质特征及区内地球物理、地球化学特征和成矿规律等综合找矿信息的研究,结合区域找矿成果,确定了本区拆离滑脱带型金银矿成矿模式。结合前期工作成果及本次研究表明,矿区具备了形成中—大型规模金银矿床的潜力。     

普光气田大湾水平井分段酸压工艺技术

水平井的开发是提高气井产量的重要手段之一,由于大湾水平井水平段长,钻井液污染的深度和范围较直井更为严重,所以要充分了解大湾水平井的特殊性,考虑到酸压作业是在注入能力相差悬殊的长井段中进行,酸压的关键就在于酸液的分布,而酸液的均匀分布又取决于酸液体系与酸压工艺的合理化选择。文章介绍了大湾水平井的酸压液体体系和水平井(裸眼、套管)分段酸压工艺技术及其现场应用情况。     

ITER磁体过渡馈线的结构设计与优化

国际热核聚变实验堆ITER(Intemational Thermonuclear Experimental Reactor)是正在进行的一项大型国际合作项目.磁体过渡馈线是保证磁体正常工作的重要通道.本文对磁体过渡馈线系统各组件结构进行了设计,利用有限元软件对结构作了初步分析和结构优化.结果表明:现有结构完全满足设计要求;通过对现有结构进行优化,如增设横向筋板、L型加强板,简化超导电流传输线(Busbar)的弯曲结构等,可以达到降低成本、简化结构的目的.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体准粒子能量的第一性原理赝势计算(英文)

The self-consistent pseudopotential calculation method is used in ab initio calculations of quasiparticle energies for semiconductors with particular attentions paid to GaAs. Although having highly accurate for ground state properties the traditional Density Functional Theory for calculations of many electron systems is not very reliable when applied to excited states. The long standing proble mof underestimations of ab initio calculated energy band gaps for semiconductors and insulators is well known. For Si, Ge and GaAs, e.g., the first principle pssudopotential calculations yield band gaps of 0.52eV, 0.07eV and 0.461eV, respectively, as compared with the experimental measurements of 1.17eV, 0.744eV and 1.51eV. When taking quasiparticle self-energies into account, the excitations (quasiparticle energies) of the many electron systems can be accurately described. The lowest calculated excitation energies above tin highest occupied levels are accurate to within a few percent of experimental band gaps. We have performed ab initio quasiparticle energy calculations for GaAs; our calculated energy band gap Eg= 1.524eV is in excellent agreement with experiments. In Green's function approach GW approximation is utilized, and Generalized Plasma Pole model is used to obtain dynamical dielectric matrix.