昌都—芒康盆地西北缘始新世煌斑岩岩石成因及其对构造环境的指示——岩石地球化学和锆石U-Pb年代学约束

煌斑岩是反映深部构造-岩浆作用和源区地球化学性质的良好地质体。本文对昌都—芒康盆地西北缘出露的煌斑岩脉进行系统研究,煌斑岩中锆石U-Pb同位素年龄通过LA-ICP-MS测定,得到其²⁰⁶Pb/²³⁸U加权平均年龄分别为（36.05±0.29）Ma、（35.89±0.32）Ma、（37.67±0.16）Ma,该年龄值基本代表岩体的岩浆结晶时代,据此将研究区煌斑岩脉体形成时代归属为始新世。地球化学分析表明,煌斑岩属于钙碱性弱钾质—钾质系列,具有大离子亲石元素和轻稀土元素富集,高场强元素和稀土元素亏损的成分特征。综合分析表明煌斑岩具有俯冲带幔源岩石的成分特征,属于“俯冲-隆升”模式下新生代构造岩浆演化碰撞晚期构造环境的岛弧岩浆岩。在始新世（35~37 Ma）澜沧江构造带与金沙江结合带之间的走滑深大断裂构造带发生的大规模水平错移,导致局部区域发生俯冲,上涌的软流圈亏损地幔加热了地壳物质,导致其部分熔融,形成煌斑岩。     

河道砂体在三维地震资料解释中的识别

介绍了河道砂体在三维地震资料解释中的识别情况，从河道砂体的物性特征、河道砂体的解释、河道砂体的形成预测等方面进行了论述，值得深入研究。     

一种应用于平面拦截问题的导弹导引律设计

针对导弹平面拦截问题,利用弹-目几何关系设计出一种新的用于攻击机动目标的非线性几何导引律NGG(nonlinear geometric guidance)。首先建立导引关系式,通过弹目运动关系得出平面拦截问题的非线性相对运动方程,然后由数学方法推导出成功拦截的条件。仿真研究表明,对高机动目标拦截效果明显,并与用于打击机动目标常用的扩展比例导引律APN(augmented proportional navigation)相比较,在初始发射弹道倾角比较大时,NGG导引的脱靶量明显小于APN导引。     

普光气田大湾水平井分段酸压工艺技术

水平井的开发是提高气井产量的重要手段之一,由于大湾水平井水平段长,钻井液污染的深度和范围较直井更为严重,所以要充分了解大湾水平井的特殊性,考虑到酸压作业是在注入能力相差悬殊的长井段中进行,酸压的关键就在于酸液的分布,而酸液的均匀分布又取决于酸液体系与酸压工艺的合理化选择。文章介绍了大湾水平井的酸压液体体系和水平井(裸眼、套管)分段酸压工艺技术及其现场应用情况。     

河北南埝峪金银矿成矿模式及找矿潜力分析

文章通过对河北省涞水县南埝峪金银矿区域地质背景、矿区地质特征、矿体地质特征及区内地球物理、地球化学特征和成矿规律等综合找矿信息的研究,结合区域找矿成果,确定了本区拆离滑脱带型金银矿成矿模式。结合前期工作成果及本次研究表明,矿区具备了形成中—大型规模金银矿床的潜力。     

超声平台珩磨机理分析

超声平台珩磨装置能使油石条产生超声振动,在珩磨缸套时具有磨削力小、珩磨温度低、油石不易堵塞、加工效率高等特点。对单颗磨粒在振动时产生的脉冲力,以及超声脉冲力垂直于珩磨网纹的方向分力——有效去峰力进行了分析,并用断裂力学原理来解释尺寸效应产生的机理,最后得出结论:珩磨中油石磨粒具有强大的脉冲力具有足够的能量削掉网纹峰尖成为平台,该理论对于生产实践具有重要的意义。     

AISI 304奥氏体不锈钢低温离子渗碳工艺优化研究

用正交实验法研究了AISI 304奥氏体不锈钢低温离子渗碳工艺。结果表明,优化后的奥氏体不锈钢低温离子渗碳工艺参数为渗碳温度500℃、C3H8:H2=1:30、氩气流量20 ml/min、渗碳时间6 h。用优化工艺参数处理的奥氏体不锈钢表面可获得单一的Sc相组织,硬度高达780 HV0.05。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体准粒子能量的第一性原理赝势计算(英文)

The self-consistent pseudopotential calculation method is used in ab initio calculations of quasiparticle energies for semiconductors with particular attentions paid to GaAs. Although having highly accurate for ground state properties the traditional Density Functional Theory for calculations of many electron systems is not very reliable when applied to excited states. The long standing proble mof underestimations of ab initio calculated energy band gaps for semiconductors and insulators is well known. For Si, Ge and GaAs, e.g., the first principle pssudopotential calculations yield band gaps of 0.52eV, 0.07eV and 0.461eV, respectively, as compared with the experimental measurements of 1.17eV, 0.744eV and 1.51eV. When taking quasiparticle self-energies into account, the excitations (quasiparticle energies) of the many electron systems can be accurately described. The lowest calculated excitation energies above tin highest occupied levels are accurate to within a few percent of experimental band gaps. We have performed ab initio quasiparticle energy calculations for GaAs; our calculated energy band gap Eg= 1.524eV is in excellent agreement with experiments. In Green's function approach GW approximation is utilized, and Generalized Plasma Pole model is used to obtain dynamical dielectric matrix.     

单颗磨粒划擦SiCf/SiC陶瓷基复合材料的试验研究

为研究SiC纤维(SiC_f)增强SiC陶瓷基复合材料(SiC_f/SiC)的磨削损伤机理,搭建试验平台开展单颗磨粒划擦试验,测量划擦力并观察其表面损伤形式,研究磨粒形状、划痕深度和SiC_f取向对复合材料磨削机理的影响。试验结果表明:SiC_f/SiC陶瓷基复合材料的划擦损伤形式主要有基体崩碎、纤维裂纹、断裂和拔出等。在SiC_f/SiC陶瓷基复合材料划擦过程中,尖锐状磨粒的划擦力更小,且整条划痕的表面损伤范围较扁平状磨粒的小。用扁平状磨粒划擦但纤维取向γ= 0°时,划痕形貌中纤维断裂、纤维拔出等损伤形式出现较少。      

500t／d浮法玻璃生产线分布式计算机控制系统硬件装置

本文阐述了分布式计算机控制系统在提高浮法玻璃生产线自动化水平和管理水平，提高产品质量，降低能源和原材料消耗，提高劳动生产率等方面所取得的显著效果，并介绍了三个ＤＣＳ系统在５００ｔ／ｄ浮法玻璃生产线中的配置。