Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜新进展

从底电极的选择、过渡层的引入、外延膜的生长、取代阳离子的改性四个方面介绍了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的研究进展,简述了PZT的Sol-Gel机理研究现状和引起PZT铁电薄膜极化疲劳的原因,分析了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜研究中存在的问题,并提出展望。     

Pb1-3x/2Eux(Zr0.52,Ti0.48)O3纳米粉的溶胶-凝胶合成

采用改进的溶胶－凝胶法制备出稀土铕掺杂PZT（PEZT）的纳米粉，粒径约为20nm.由XRD分析了Eu的掺入对PZT微观结构的影响，确定了Eu的最佳掺入量≤7％，分析了Eu在PZT中的占位情况。     

用扫描压电显微术观察不同掺杂PZT薄膜的铁电畴分布

我们用扫描压电显微术，观察了未掺杂和掺La、Eu的PZT的铁电畴分布，结果表明：在自发极化下，用溶胶一凝胶法得到的PZT，(Pb0.93La0.07)(ti0.6ZR0.4)O3，(Pb0.95Eu0.05)(Zr0.52Ti0.48)O3和(Ph0.9Eu0.1)(Zr0.52Ti0.48)O3的表面铁电畴呈现较大的不同，掺La和掺Eu的样品均比未掺杂的有较大的自发极化。含Eu为5％时自发极化强度最高，且大部分畴界位置与晶界接近。通过改变加在探针上交变电压的幅值，观察铁电畴衬度的变化，可以看到，当交变电压升高时，某些畴变得不稳定，极化方向不同于自发极化，而衬度随交变电压线性增加，表明该区域晶粒在垂直方向贯通膜面，矫顽力高于外电场，且无明显的缺陷所致的压电性损失。     

Pb1-3x/2Eux(Zr0.52,Ti0.48)O3纳米粉的溶胶-凝胶合成

采用改进的溶胶－凝胶法制备出稀土铕掺杂ＰＺＴ（ＰＥＺＴ）的纳米粉,粒径约为２０ｎｍ．由ＸＲＤ分析了Ｅｕ的掺入对ＰＺＴ微观结构的影响,确定了Ｅｕ的最佳掺入量≤7％,分析了Ｅｕ在ＰＺＴ中的占位情况．     

形变铜基复合材料研究进展

介绍了形变铜基微观复合材料和形变铜基宏观复合材料的制备方法、结构、性能特点及其发展前景。