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脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征 总被引：2，自引：2，他引：0
本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用关以样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别。 相似文献
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电容式触摸屏市场的高速增长吸引了大量投资方和生产商。到目前为止,对于那些已经通过了设计评估、进入量产阶段的企业,高成品率的保证成为实现投资回报的关键。本文基于质量控制中最基本的6sigma管理概念,介绍了一种用于电容触摸屏成品率控制的蒙特卡罗仿真技术。 相似文献
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本文基于差值取样谱定理，指出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法－－－瞬态电容驰豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和高度能同时、准确、唯一地得到少子寿命及表面产生速度。同时将该方法与Ｚｅｒｂｓｔ方法得到的结果进行了对比。 相似文献
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