一种瓦片式T/R的关键工艺分析

该文介绍了一种Ku波段瓦片式发射/接收（T/R）组件的工艺设计技术。组件整体采用了低温共烧陶瓷（LTCC）高频基板、低频电源印制电路板（PCB）和控制PCB板,利用立体组装的方式实现产品的小型化。产品采用金锡焊接SMP接头实现气密性焊接,同时采用4种焊接材料实现了产品的温度梯度焊接,并对关键工艺进行了工艺鉴定分析,保证了产品的长期可靠性。     

基于LTCC的一体化频率源研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计并实现了一款Ku波段的频率源。该频率源将滤波器集成在LTCC基板内,并采用共晶焊和平行缝焊工艺,实现了频率源的小型化和一体化封装,经测试满足国军标检漏标准。该频率源的输出频率为13.6GHz,相位噪声为-88dBc/Hz@1kHz,其体积为12mm×15mm×3mm。     

一种应用于二次平行封焊的工艺方法

实现二次平行封焊并达到气密性标准是气密性产品返修的关键。该文介绍了一种应用于二次平行封焊的工艺方法,通过对平行封焊后的气密性元器件进行激光开盖,在控制多余物产生后,利用机加工铣平壳体围框表面进行二次平行封焊。测试并分析了气密性元器件系统集成封装(SIP)模块二次平行封焊后的检漏。结果表明,细检漏率＜1.01×10^-8 Pa·m³/s,粗检漏无连续气泡产生,气密性满足电子与电器元件试验方法(GJB 360B-2009)要求。根据该文介绍的工艺方法可为多余物可控的气密性元器件实现二次平行封焊提供一种有效的解决方案。