气相扩镓的杂质Rs效应分析

在确定的开管扩镓装置中，以氢气做为镓源Ｇａ２Ｏ３的反应和输运气体，凭借准确的控制扩散条件，镓在ＳｉＯ２／Ｓｉ系统中扩散，可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Ｓｉ和ＳｉＯ２中扩散行为，分析讨论了镓在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩散所产生的杂质Ｒｓ效应，及其氧化膜质量和厚度对Ｒｓ的影响。     

一种开管铝镓扩散工艺的研究

就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺杂工艺。     

硅片排列方式对扩散均匀性的影响

在气相镓杂质扩散中,通过实验和生产实践表明,硅片在石英舟上不同的排列方式,对杂质扩散均匀性产生不同的影响,本文从机理上进行了分析和讨论。     

高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究

鉴于现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，提出了受主双质掺杂新技术的研究，经工艺论证和对比实验，首先成功的研制成开管铝镓扩散法，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径。     

一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺

针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究.通过大量试验和工艺论证,研制成一种气(Ga) -固(Al掺杂氧化物) -固(Si)掺杂新工艺.经应用证明,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率,为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主双质掺杂新工艺     

高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究

针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的，产品电参数一致性和综合性能好，合格率高，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径．     

P型双质掺杂技术在快速晶闸管生产中的应用

高压快速晶闸管的Ｐ型双质掺杂新技术研究成功，经工艺论证和试用，该项成果具有可行性、先进性和实用性，为研究和制造快速晶闸管开辟了一条新工艺途径，本文阐述了工艺设计原理、掺杂机制、杂质浓度分布和试用结果。     

树脂水超洗工艺的应用研究

本文介绍了一种树脂水超洗工艺及原理,用该工艺清洗管芯,可显著地减少漏电流,提高反压水平,效果较好,具有推广应用价值.     

先氧化后扩镓工艺提高扩散质量的分析

在3DD系列高反压管生产中,采用先氧化后扩镓工艺,避免了合金点和腐蚀坑的产生,提高了扩散质量,本文对提高扩散质量进行了分析.     

一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺

针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究.通过大量试验和工艺论证,研制成一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺.经应用证明,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率,为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主双质掺杂新工艺.