11011底板抽放巷钻场配套设施的研制与应用

大众煤业公司矿井11011底板抽放巷钻场存在封孔工艺落后、封孔段短、漏气,打钻时瓦斯超限及原放水、除渣设施效果差,导致抽放管堵塞等问题。该矿学习、探索、借鉴外矿经验,成功研制了压风封孔装置、水射流分风器和钻孔集中箱系列配套设施,使抽放效果明显提高,消除了钻场瓦斯超限和抽放管路堵塞、积水现象。     

窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.     

InSb的带间双光子吸收的实验观察

InSb双光子带间吸收,特别是双光子带间磁光吸收,无论从应用InSb材料于高强度红外光学或者是从对InSb能带结构的了解上看都是一个很有兴趣而又尚未完全解决的问题。我们用观测双光子吸收产生的光电导的方法观察了InSb对CO_2激光的双光子吸收。曾在室温、液氮、液氦下观察没有外加磁场时的双光子吸收以及在液氦温度下观察了双光子磁光吸收。     

半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe中横向磁阻的反常行为(英文)

<正> The transverse magnetoresistance in semimagaetic semiconductor Hg1-x MnxTe has been studied with the aid of the Vander Pauw method. The measurements were carried out in magnetic fields up to 7T and at the temperatures of 1.5-20K.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应

在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于     

N型InSb的光子牵引效应

本文报道了我们关于N型InSb光子牵引效应的研究工作。不同于P型Ge的价带间跃迁,N型InSb的红外吸收是自由载流子吸收,是二阶量子跃迁过程。除了电子和光波的相互作用外,还同时有电子和声子或杂质中心的相互作用。我们研究了在这种情况下,载流子和光波的动量交换如何引起光子牵引效应。由于InSb是典型的窄禁带半导体,电子有效质量很小,可以指望它有较强的光子牵引电流。对N-InSb光子牵引的报道是很少的。     

采后密闭采空区瓦斯抽放和采用“均压通风”防治漏风的实践

 摘要：介绍了大众公司12081工作面采后密闭采空区瓦斯抽放和“均压通风”防治采空区漏风的方法,分析了影响采空区瓦斯抽放因素,阐述了采后密闭采空区瓦斯抽放和“均压通风”的具体做法和应用效果。