InPδ掺杂的输运特性

测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.     

氧本征吸除硅晶片的DLTS研究

本文通过DLTS深能普和I-V反向特性的测试,研究了经氧本征吸除处理的晶片(I-G晶片)和一般抛光片(原始晶片)在电学性能上的差别。研究结果表明,I-G工艺的本质是一个温度变化的热处理过程,在产生吸杂作用的同时对晶格结构也产生热损伤影响,并引入深能级陷阱中心。