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HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿,但ITO结晶方式的变化还需确保产品高透过率特性。对比实验的结果表明:单层ITO退火时间由30min缩减至10min时,产品的透过率基本保持不变;2nd ITO退火直接省略时产品仍具备高的透过率特性,但1st ITO退火省略时产品的透过率则会大幅降低,其主要原因是钝化绝缘层的阻隔导致了1st ITO中的亚氧化物无法被后工段的热处理所氧化,而配向膜涂覆后的2nd ITO在烘焙过程中仍可以与外界高温空气结合反应。在确保产品高透过率的前提下,选择从源头上减少了1st ITO内亚氧化物的产生,通过增加1st ITO成膜时的氧气流量也可以实现1st ITO退火的直接省略。最终两次ITO退火均可被配向膜烘焙所替代且产品兼具高透过率特性,最大化地提升了TFT产线的生产效率。 相似文献
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一天到朋友那儿去玩 ,看到他正在拨弄电脑 ,操着鼠标就在屏幕上横一下竖一下地画了起来。仔细一看 ,这不是Windows98吗 ,什么时候可以这样玩了 ?我来看看!我夺过小老鼠 ,一会儿屏幕上又多了我留下的痕迹。“这是我编的程序” ,朋友在边上得意地说。“你编的程序 ?拿源程序来我看一下。”“不 !”这一次他回答得很坚决 ,“你不是编程比我行吗 ,你自己编一个给我看看 ?”“我…… ,编一个就编一个。”但是 ,可以把屏幕变成画布吗 ?祭出武器VisualC ++6.0 ,又找来资料 ,发现在Win dows中屏幕也是一个设备 ,我们的程… 相似文献
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