光控晶闸管及其应用

<正> 半导体光电器件近来发展迅速,其中光控晶闸管由于触发讯号与主回路绝缘、抗干扰能力强、可直接应用于高压电路等优点,越来越引起人们重视。我们合作研制成正反向耐压400～600V,导通电流0.8～1A,白炽灯下最小触发光强为150Lx的光控晶闸管。 光控晶闸管的应用极其广泛,由于其输出电流可很大,应用时不需要附加放大等电路。     

光控晶闸管的结构形式和参数之间的关系

<正> 1.对于n型受光区域,它可以是光控晶闸管n型发射的一部分(这是最基本的一种结构形式),也可以把n型受光区域和n型发射区分开。这样,为了提高触发灵敏度可以让受光部分的n型区和P型基区短路,使它同时取辅助晶闸管作用。这种结构的光控晶闸管所需的最小触发光量就比较小,即灵敏度比前者提高了。 对于这种结构,如果用增加n型受光区域     

空间高效硅太阳电池减反射膜设计与数值分析

结合AM0太阳光谱特性对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析,得到了最小反射时的最佳膜厚.分别讨论了单、双、三层减反射膜厚度变化对反射率的影响,并对有钝化层的Si O2 (94 nm) / Ti O2 (6 0 nm)双层减反射膜进行了优化设计,优化后硅太阳电池的短路电流和效率分别提高了2 .1%和1.4 % .     

无掩模全息衍射光栅的形成

本文主要讨论利用激光的光化学反应,在Ag金属膜表面、GaAs半导体表面无掩模全息衍射光栅的形成。     

GD-L光控晶闸管输出光电耦合器

上海科技大学物理系和上海电器电子元件厂共同协作,在国内首先研制成功的GD-L光控晶闸管输出光电耦合器(简称光控耦合器),于1986年12月25日通过了局级鉴定.这种光控耦合器具有通态电流大(200mA),断态重复峰值电压高(400V),触发电流小(15mA)的优点,由于其控制回路和主回路之间具有很     

铜膜印刷板表面准分子激光微细加工技术的研究

用ＫｒＦ准分子激光，在稀释的Ｃｌ２气体中对镀有铜膜的印刷板进行微细加工，得到的最小腐蚀宽度为１６μｍ。     

32位浮点阵列乘法器的设计及算法比较

讨论了乘法器用于补码运算的几种算法。通过比较，发现改进型Booth算法是较为理想的算法。该算法在不考虑乘数和被乘数符号的情况下，都可以用统一的步骤来完成乘法运算，而立无需对乘积作任何修王，这极大地提高了乘法器的运算速度。结合改进型Booth算法，设计了一个高性能32位浮点阵列乘法器，它能在单个时钟周期内完成一次24位整数乘或32住浮点乘。该乘法器适于VLSI实现，巳被应用于DSP芯片设计之中。