GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.     

乙酸乙酯制备方法的改进

对乙酸乙酯的制备实验方案进行改进,减少了硫酸的用量,采用分馏柱把产物从反应体系中移走,简化了操作,降低了污染,大大提高了收率。     

超高效液相色谱-串联质谱法检测运动型沐浴露中的泛酸

建立并优化了一种超高效液相色谱-串联质谱法检测运动型沐浴露中泛酸的方法。样品的前处理选择乙醇作为泛酸成分的提取溶剂,并采用T3色谱柱分离,泛酸组分在2.0~200.0μg/L浓度范围内线性关系良好,相关系数r~2为0.999 9,检出限为0.04 mg/kg,定量限范围为0.12 mg/kg,加标回收率为90.7%~95.1%。     

半绝缘GaAs材料中的Si、Be双重离子注入

GaAs集成电路要求FET有一致的夹断特性,而半绝缘GaAs衬底的质量对Si全离子注入的MESFET有着重大影响。这是由于高阻衬底中的Cr在离子注入和高温退火后的再分布,注入后载流子分布出现翘尾,使部分器件呈现出异常输出特性,表现为夹断电压偏高,小电流时跨导偏低,难以获得均匀的夹断电压。在N型有源层之下,用离子注入工艺形成一个隐埋的P型层,可以大大改善夹断电压的均匀性。已有报道,通过在沟道层和衬底之间引入一P型层,亚微米栅GaAs MSFET的短沟道效应有效地被抑制了,背栅效应对于GaAs集成电路无疑是有害的,模拟计算也表明,使用近补偿的衬底材料或缓冲层可使背栅沟道电容减至最小。     

对小秦岭小河岩体南缘董家埝银矿地质特征及成因的初步认识

董家埝银矿是近年来在豫西小秦岭地区小河岩体南缘发现的一个银矿床。矿(化)体产出于太古代太华群或中元古代管道口群与中元古代小河花岗岩体接触带,矿体呈陡倾斜较规则脉状产出,具分枝复合现象。综合其地质背景、矿床地质特征以及区域典型矿床类比研究表明:其矿床类型为热液脉状银矿床,对比相似矿床推测其矿床成因与中生代岩浆活动密切相关,成矿年代为晚中生代。矿石中Ag、Pb、Zn多金属共生,Ag/Au比值很高,不出现Au的富集,Pb/Zn比值1,是一个以银为主,伴生铅、锌的矿点。构造破碎带、铅锌矿化、烟灰色硅化、绢云母化等矿化蚀变、民采坑以及银铅锌元素异常组合是其重要的找矿标志。为矿区及其小河岩体南缘进一步找矿提供了指导方向。     

高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)

本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰值浓度为 0.5-1×10~(13)cm~(-3).在Al栅和GaAs有源层间有一层用阳极氧化制备的自身氧化膜,厚度10~2A|°.MIS SB FET为双栅器件,栅尺寸 2 × 400 μm. 实验所得 MIS SB FET的夹断电压为4V,零栅偏跨导为 25mS,高于本实验室相似结构常规工艺的 MES FET器件(峰值浓度1-2×10~(17)cm~(-3),没有氧化膜). 在二区间模型基础上,计入薄氧化膜影响,模拟计算了 MIS SB FET的直流和微波特性,并与常规工艺的 MES FET作了比较.     

中国——东盟自由贸易区与云南外经贸发展

基于中国-东盟自由贸易区建立的相关热点问题，重点探讨其未来与云南外经贸发展关系。     

试论中国铝工业与WTO

探讨我国铝工业如何面对入世后的发展问题。     

浅谈化学实验教学的高效管理

为适应高校实验教学改革趋势,提高化学实验教学管理效率,提升教学效果和质量,满足学生个性化学习需求,结合化学实验特点,对医学院校化学实验教学的高效管理进行了一些实践和探索。