掺杂对二维SiC材料光电性质的影响

利用第一性原理赝势平面波方法计算了Si-C邻 近元素(B、N、Al、P)掺杂二维SiC的几何结构、 电子结构和光学性质。结果表明:掺杂后的二维SiC晶格常数(a、b)、键长及角度均发生了明显变化;同时, 在禁带中引入了杂质能级,导带和价带均向低能方向发生了明显的移动,带隙发生变化,费 米能级附近引入了 杂质的2p及3p态电子。光学性质的计算表明:在低能端B、N、Al掺杂使二维SiC吸收电磁波 的能力明显增 强;静态介电常数增大而能量损失峰降低。以上结果说明可以根据需要利用B、N、Al、P掺 杂来调制二维SiC材料的光电性质。     

基于模糊推理的自适应PID控制算法仿真

对时变不确定性系统要实现有效的控制,是实现全球智能化的必要一步,为此研究一种有效的时变控制系统算法具有极其重要的意义。为克服常规PID控制算法适应能力弱的缺点,结合模糊理论探究一种基于模糊推理的自适应PID控制算法。将模糊推理引入到PID控制策略中,仿真实验证明基于模糊推理的自适应PID控制算法提高了常规PID算法的适应能力及控制精度。     

CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法，对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算，能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体，禁带宽度为0．353eV,其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定；计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较，计算结果与已有的实验数据符合较好。     

The optical-electrical properties of doped β-FeSi2

By using the pseudo-potential plane-wave method of first principles based on the density function theory,the geometrical,electronic structures and optical properties of FeSi1.875M0.125(MDB,N,Al,P) were calculated and analyzed.The calculated structural parameters depend strongly on the kinds of dopants and sites.The total energy calculations for substitution of dopants at the SiI and the SiII sites revealed that Al and P prefer the SiI sites,whereas B and N prefer the SiII sites.The calculations predict that B- and Al-doped β-FeSi2 show p-type conduction,while N- and P-doped show n-type.Optical property calculations show that N-doping has little influence on the complex dielectric function of β-FeSi2; B-,N-,Al- and P-doping can enhance the electronic transition,refractive index,and reflection effect in the low-energy range,and weaken the reflection effect at the max peak of reflectivity.These results can offer theoretical guidance for the design and application of optoelectronic material β-FeSi2.     

不同浓度Ti掺杂Ca2Si电子结构及光学性质的研究

采用第一性原理方法计算不同Ti含量Ca_2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。几何结构和电子结构的计算结果表明,Ti掺杂使Ca_2Si的晶格常数a增大,b、c减小,晶胞体积减小。Ca_(2-x)Ti_xSi的带隙变宽,其中掺杂浓度为4.2%时带隙最大为0.55 eV,费米面进入导带,导电类型为n型。Ti的掺入削弱了Ca的3d态电子贡献,费米能级附近电子态密度仍主要由Ca-3d态电子贡献。光学性质的计算结果表明,Ti掺入后介电函数虚部、吸收系数向低能端偏移,光学跃迁强度减弱,反射率在E=0 eV处增大。     

HIP技术在改善铸件致密化方面的应用

热等静压(HIP)利用高温高压实现铸件内部疏松蠕变扩散,达到致密化的目的,使铸件的力学性能显著提高,提升了铸件使用的安全性和可靠性。简要介绍了热等静压技术的发展和原理,概述了其在钛合金、高温合金、铝合金、镁合金铸件致密化处理上的应用。