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1.
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3.
4.
研究一次和二次烧成对CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃的烧结性能与介电性能的影响。用X线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析探讨二次烧成对CBS微晶玻璃的微观结构与介电性能的关系。结果表明:与一次烧成相比,二次烧成能够促进玻璃体中的小晶粒生长,试样的收缩率和体积密度有所增加,有利于介电常数提高和介质损耗的降低,且体系中没有出现新的晶相;875℃烧结的试样,X/Y轴收缩率均为14.33%,体积密度达到2.46 g/cm3,10MHz介电常数和损耗相应为6.21和3.5×10-3,热膨胀系数为11.86×10-6/℃,抗折强度为157.36MPa。 相似文献
5.
借助典型的固相反应烧结机制,研究了MgO含量对微波高品质因数瓷介材料微观结构与介电性能参数影响的规律。结果表明:高温烧结的镁钛系瓷介质中,随着MgO含量增加,Mg2TiO4晶相的含量逐渐降低、瓷体晶粒由尖晶石型演变为氯化钠型结构,对应的微波介电常数出现缓慢降低,在10.10~13.37范围连续可调。当x=16时,在1 525℃/2 h烧成,可获得性能优良的(2+x)MgO-TiO2陶瓷,其ρ=3.49 g·cm–3,εr=10.37,Q·f=118 747 GHz(f=10.47 GHz),τf=–53.35×10–6℃–1。 相似文献
6.
钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷致密化过程及介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
通过DSC、XRD、SEM、EDS等测试手段,研究了钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷一个典型组成的致密化过程,并讨论了在这过程中物相、微观结构以及介电性能的变化规律。研究结果表明:在800~900℃烧成范围内,材料先致密化后析晶;825℃时,材料已烧结致密化,介电常数达到其最大值;850℃时,玻璃中析出钙长石晶体,介电损耗大幅下降;随着温度的进一步提高,材料结构变得松散,介电损耗略有增大。1 MHz下,850℃所烧试样介电常数为7.9,介电损耗小于1×10~(-3),是一种性能优良的LTCC材料。 相似文献
7.
低温烧结CaO-B2O3-SiO2玻璃陶瓷及其性能 总被引:1,自引:0,他引:1
在CaO-B2O3-SiO2玻璃粉末中,通过添加助烧剂制备了CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃陶瓷材料.研究了助烧剂P2O5和ZnO的助烧作用、材料的介电性能和相组成、显微结构.分析认为,P2O5能促进低熔点玻璃相的形成,ZnO则可以提高玻璃相的粘度,扩大烧结温度范围,并防止试样变形,复合添加P2O5和ZnO可成功烧结CBS玻璃粉末;在CBS玻璃陶瓷材料中,包含有β-CaSiO3、α-SiO2和CaB2O4三种晶相,晶粒发育均匀,粒径分布较合理,大小为0.5μm左右;添加质量分数为2%的P2O5和0.5%的ZnO作烧结助剂,可制备10MHz下,εr为6.38,tanδ小于0.002的玻璃陶瓷材料;烧结温度低于900℃,可实现银、铜电极共烧,可用作LTCC材料. 相似文献
8.
在Ba0.55Sr0.45TiO3(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行ZrO2掺杂的系统研究。结果表明,随着ZrO2掺入量的增加,BSTO/MgO材料的损耗基本保持不变,调谐性显著提高,但过量的ZrO2掺杂使得材料的调谐性降低。当ZrO2掺杂1%(摩尔分数)时,BST/MgO材料的介电常数为117,介电损耗为3.95×10-3(3.2GHz),介电常数调谐性达9.9%(2.0kV/mm)。利用电介质理论分析ZrO2对BST/MgO材料介电性质的改性机理。 相似文献
9.
以硼硅酸盐系玻璃和Al2O3粉料为原料,采用低温烧结法制备了玻璃/Al2O3系LTCC材料。设计玻璃中碱金属氧化物的质量分数为0~6%,研究了碱金属氧化物添加量和烧成温度对玻璃/Al2O3材料的烧结性能、热性能、介电性能和力学性能的影响。随着碱金属氧化物含量增加,玻璃/Al2O3材料的体积密度、相对介电常数、抗弯强度增加,而介电损耗恶化。当碱金属氧化物添加的质量分数为2%,材料于875℃烧结良好,显示出优异的性能:体积密度为2.84 g/cm3,相对介电常数7.71,介电损耗1.15×10–3(于10 MHz下测试),抗弯强度为158 MPa,热导率为2.65 W/(m·℃),线膨胀系数为7.77×10–6/℃。 相似文献
10.
对以PTFE为基的微波复合介质基板材料进行了研究,结果表明:添加合适种类和适当数量的助剂有利于陶瓷颗粒粒径的增大与电性能的改善;复合介质材料介电常数随组成的变化符合Maxwell提出的关系式。对复合介质的频率特性和损耗机理进行了探讨。 相似文献