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1.
在传感器敏感膜模型的基础上对电容式绝对压力传感器提出了一种改进模型,考虑了由于温度的变化电容结构空腔中残余气体对传感器性能产生的影响.结果表明温度的改变会导致残余气体压力的改变,进而使传感器的测量产生一定的温度漂移,同时也降低了传感器的灵敏度;并由此计算了残余气体存在时,传感器测量值的温度漂移量以及灵敏度的温度系数.这对于工艺的改进以及后续电路的设计具有指导意义. 相似文献
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在MEMS表面加工工艺中，多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分。本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围，建立多晶硅膜的大变形模型，设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸。采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证，提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法，并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工，加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性。 相似文献
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CMOS集成电容绝对压力传感器是基于集成电路主流工艺集成的新型传感器,克服了传统传感器的缺点并利于批量生产,介绍了传感器的原理,结构及处理电路,并对微系统集成的概念及生产工艺进行了讨论,对传感器的应用前景及领域进行了展望与预测。 相似文献
4.
在MEMS表面加工工艺中 ,多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分。本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围 ,建立多晶硅膜的大变形模型 ,设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸。采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证 ,提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法 ,并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工 ,加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性 相似文献
5.
针对大气测量的气压计应用,根据接触电容式压力传感器的工作原理,优化设计了绝对压力传感器的圆形膜结构。通过有限元分析软件ANSYS进行了验证,最后讨论了这种结构的非线性度。 相似文献
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在MEMS表面加工工艺中,多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分.本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围,建立多晶硅膜的大变形模型,设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸.采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证,提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法,并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工,加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性. 相似文献
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在传感器敏感膜模型的基础上对电容式绝对压力传感器提出了一种改进模型,考虑了由于温度的变化电容结构空腔中残余气体对传感器性能产生的影响．结果表明温度的改变会导致残余气体压力的改变,进而使传感器的测量产生一定的温度漂移,同时也降低了传感器的灵敏度;并由此计算了残余气体存在时,传感器测量值的温度漂移量以及灵敏度的温度系数．这对于工艺的改进以及后续电路的设计具有指导意义． 相似文献
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