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1.
一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8~48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.  相似文献   
2.
一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8~48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.  相似文献   
3.
用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度控制电路和用于提升调谐电压的片外三阶有源滤波器,实现VCO的宽范围稳定输出.改进逻辑结构的双模16/17预分频器提高了电路工作速度.基于环路的行为级模型,对环路参数设计及环路性能评估进行了深入的讨论.流片测试结果表明,该频率合成器的锁定范围为75~830MHz,全波段内在偏离中心频率10kHz处的相位噪声可以达到-90.46dBc/Hz,100kHz处的相位噪声为-115dBc/Hz,参考频率附近杂散小于-90dBc.  相似文献   
4.
采用片外谐振网络和多VCO的结构设计了一个宽带CMOS VCO,并采用一种新型的电荷泵式自动幅度控制电路,确保了VCO在整个带宽内的可靠性。基于Chartered 0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,该VCO的频率能够覆盖75~900 MHz,单边带相位噪声最佳值达到了-92 dBc/Hz@10 kHz。  相似文献   
5.
本文提出了一种以遗传算法作为全局搜索算法、以性能方程作为评估器的CMOS混频器电路自动优化方法,优化过程中采用了一种新的约束条件处理机制,即:搜索空间限定法与罚函数法并用的处理方法。本文提出的优化方法可以快速得到电路优化结果,优化后的混频器电路已经过0.25μm CMOS工艺流片验证。  相似文献   
6.
高线性度上变频混频器设计   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
李鸣  唐守龙  罗岚  黄成  时龙兴 《电子器件》2004,27(4):603-606
首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点,随后采用Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于Chartered 0.25/μmCMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能;转换增益为3dB,在50~860MHz的频率范围内增益变化小于0.5dB,IIP3为10dBm,在3.3V单电源下消耗20mA的电流。对实际样片的测试表明电路的混频功能良好。  相似文献   
7.
简述北斗一代射频单收芯片的应用  相似文献   
8.
本文给出了基于0.35μm CMOS工艺的VHFH波段宽带低噪声LCVCO的设计。并提出了一种新的自动幅度控制电路:电荷泵式自动幅度控制电路(CP_AAC)。测试结果表明:该VCO在全波段相位噪声低于-79dBc/Hz@10kHz,而且CP_AAC对VCO相位噪声的影响低于1dB。  相似文献   
9.
本文介绍用RC多相滤波器实现镜像抑制的原理,推导出电阻电容误差对镜像抑制影响的数学表达式,通过仿真验证表明,计算值与仿真值较为接近,并应用RC多相滤波器来实现高镜像抑制的下变频混频器。本文设计的下变频混频器采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,输入RF信号1.22GHz,在输出中频(IF)信号36/44MHz的情况下,能获得49dB的镜像抑制。  相似文献   
10.
四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,本文预测的电压增益理论值与仿真结果相差最大为0.08dB,对CMOS混频器的优化设计具有指导意义。  相似文献   
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