单片式128×1氧化钒微测辐射热计非致冷焦平面的研制

采用氧化钒薄膜、低应力介质膜和CMOS读出电路技术,研制了单片式128×1非致冷焦平面.氧化钒薄膜的制备采用了一种新的方法,焦平面的信号读出采用了CTIA积分方式.应用一种双频PECVD技术制备了低应力氮化硅薄膜,有效改善了微桥的平整度.通过氮化硅和氧化钒薄膜自身的红外吸收,焦平面在8～14μm波段的平均响应率达到8.2×104V/W,平均D*达到2.3×108cmHz1/2/w.焦平面的均匀性需要进一步改善.     

认真吸取事故教训改进设备管理工作

1.领导亲自组织设备抢修,并加强岗位责任制和设备检修制 1986年5月和6月,白水金矿两艘300升采金船的西德进口2800型主减速机相继发生事故,导致全矿停产。调查组经过多次调查分析,查明了事故原因,及时采取了抢救措施。几个月来,白水金矿认真吸取事故教训,改进了设备管理工作,设备的技术状况和设备运转率都有了明显的提高。     

连铸结晶器石英水口蚀损机理分析

在前人研究的基础上，总结了石英水口制备工艺、选用以及在钢水浇铸过程的作用。针对本厂下线石英水口的状况，通过测量下线水口断面尺寸，分析了钢水成分、保护渣和水口对中等因素对石英水口蚀损的影响，得知石英水口蚀损主要有内部扩颈和外部缩颈两种形式，其中以保护渣侵蚀造成缩颈为主，平均速率为15.86 mm/h。水口在使用过程中如果未良好对中，会造成水口薄厚不均，影响水口正常使用。针对上述问题提出了在保证水口对中的前提下，改变石英水口浸入金属液面深度来延长其使用寿命的方法。     

横向多晶硅p+p-n+结非致冷红外焦平面

应用标准CMOS工艺,同时结合体硅微机械加工技术,研制成功横向多晶硅p p-n 微测辐射热计单元;基于研制成功的微测辐射热计,设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面.采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p p-n 结热敏响应元和读出电路;在CMOS工艺完成后,辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺,制备微桥形式的热绝缘结构,从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成.在3～5 μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103 V/W,黑体探测率D·为1.2×108 cm·Hz1/2·W-1.焦平面采用行读出模式的结构,信号读出采用栅调制积分电路,输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路,将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出.     

C/C-SiC-ZrB2-ZrC复合材料在等离子体高频脉冲达2000次过程中的烧蚀特性(英文)

研究等离子体单次毫秒级加载条件下C/C-SiC-ZrB₂-ZrC复合材料在不同次数高频脉冲过程中的烧蚀行为与机理。烧蚀试验在自研台架上进行，测试过程中等离体子体-空气射流交替冲击试样表面。结果表明，随冲击次数增加，前1000次内烧蚀率迅速下降，随后在达2000次过程中烧蚀率缓慢降低。微结构、物相及烧蚀表面温度特征说明烧蚀试样表面形成一层不完整的混合陶瓷烧蚀产物层，且裸露的碳含量在1000次冲击烧蚀以后趋于稳定。烧蚀产物层削弱了热应力诱发的机械剥蚀并保护其亚层的碳不被侵蚀，进而导致烧蚀率的演变。