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本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15Pa,功率在5 500~6 500 W的参数区间,a-Si刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl=800∶2 800mL/min时a-Si刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏a-Si刻蚀的均一性。 相似文献
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随着网络技术的发展,传统的专线业务例如FR、ATM、DDN、X.25、PDH专线、SDH专线、IPSecVPN、MPLSVPN等形式,已经无法满足用户多方面、多层次的需求,并且给运营商带来了诸多问题,需要引入一种能满足大客户全业务接入需求以及未来发展趋势的综合专线网络。通过应用了MPLS/ASON等多种技术,采甩支持IP/ATM以及TDM业务的MSTP平台设备就可以实现这一目的。华为技术有限公司夏庆峰《基于MSTP平台的专线业务解决方案》一文对华为MSTP设备的业务能力进行了详细阐述,并给出了MSTP设备提供专线业务的典型组网应用实例。本文为相关技术领域的技术人员或工程师提供了有益的参考资料。 相似文献
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