射频溅射制备Ni-SiO2薄膜特性研究

Ni-SiO2金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料,用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ni-SiO2薄膜、生成的样品、致密,通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求。X射线能谱分析可以估算出Ni在样品中的百分比,各种不同制备条件下的样品透射率有较大的差别。     

超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计

叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法，提出了利用普通微带混合集成电路．工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术，并且用带封装的ＢＪＴ和ＦＥＴ实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用２ＳＣ３３５８，放大器为三级，频带为３０ｋＨＺ～１６００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±１ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤３．５ｄＢ；另一个利用ＡＴＦ１０２３５（６），放大器为二级，频带为５００ｋＨＺ～６０００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±２ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤２ｄＢ。     

由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化

讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。     

由离子注入引起的CuxS薄膜的状态变化

讨论了ＣｕｘＳ薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现，氮离子束注入引起了ＣｕｘＳ薄膜中铜与硫成分的改变，明显观察到样品的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的ＣｕｘＳ状态出现。     

网格状电阻层对FEA的作用

讨论了具有横向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列 ,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。电阻层的等效电阻有横向与纵向电阻之分 ,相互串接在阴极与微尖发射体之间。实验制得的场发射阵列器件 ,展示了电阻层在改善器件性能方面的重要作用     

场发射阵列中聚焦电极制备的自对准技术

本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术,提出了具有自对准能力的刻蚀方法,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确对准.比较了传统方法与新方法的不同,具体论述了整个工艺过程,并对制备出的器件进行了SEM观测,结果达到了预想的目标.     

场发射阵列中的分布电阻层

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列（ＦＥＡ）。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明，通过引入电阻层，器件发射的不均匀性得到较大改善，异常发射得到有效的抑制。     

有电子束聚焦作用的场发射阵列

讨论了对发射电子束具有聚焦作用的场发射阵列 ,并制作了样管。为了抑制发射电子束的发散 ,采用电子束聚焦的方法。文中给出了三种结构的聚焦方案 ,开发的透明电阻层Ni SiO2 保证了聚焦孔的刻蚀精度     

FFEA电场及电子轨迹模拟讨论

采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的场发射阵列进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子轨迹分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦极孔径以及栅极电位对发射电子束的影响。聚焦极电位相对栅极越负 ,聚焦作用越强。减小聚焦极孔径对大发散角的电子有影响 ,但对聚焦作用的影响不如改变电位明显。栅极电位基本上不影响电子的轨迹 ,仅改变了发射电子的多少。以上结论与实验基本一致