氧化应激细胞模型建立的研究进展

细胞模型是筛选评价抗氧化物质,研究氧化应激损伤机制的有效方法之一。目前有不少研究采用氧化应激细胞模型探讨植物化学物质的抗氧化效果及机制。根据研究目的,可以选择多种细胞株及应激源,但模型建立缺乏统一标准,系统性的总结少见报道。因此,本文从细胞株和应激源的选择、模型判断指标等方面介绍氧化应激细胞模型的建立方法,并从化学、物理和生物等方面对应激源进行了分类总结,旨在为筛选、评价抗氧化剂效果,探究干预氧化损伤机制等研究提供参考。     

平面不规则高层结构抗震性能的优化设计

首先分析了平面不规则高层结构的判定方法及其变形特点与破坏机理,然后提出了此类高层结构基于性能的优化设计方法与所需采取的构造加强措施,最后通过软件对工程实例方案优化前后进行了弹塑性分析对比,从而证明了优化设计方法的合理性。     

反应溅射条件对WO3薄膜光电性能的影响与探索

使用反应溅射法在FTO导电玻璃基底上制备了附着力强、表面光滑、均匀的WO3光电薄膜,系统地研究了氩气与氧气流量比和溅射功率对该薄膜光电性能的影响。通过XRD、AFM、Mott-Schottky(M-S)分别分析薄膜的物相、形貌、光电性质。光电转化效率(IPCE)测试表明:当氩氧流量比为2和溅射功率250 W时,WO3薄膜的光电性能最好。该薄膜在400 nm波长处的IPCE值高达40%。     

pH值对微波乙二醇法制备Pd/C催化剂性能影响

采用微波辅助乙二醇还原法在不同pH值条件下快速高效地制备了Pd/C催化剂,并分别采用X射线衍射光谱法(XRD)和透射电子显微镜法(TEM)技术表征样品的晶体结构和颗粒形貌,采用循环伏安法(CV)测试Pd/C催化剂电催化氧化甲酸的性能。XRD结果表明制得的催化剂均为Pd面心立方结构,随着还原pH值的增高,样品的相对结晶度降低,平均粒径减小。TEM结果表明,当NaOH加入量为0.7 mL、pH=10.2时,催化剂的平均粒径为(3.0±0.7)nm,颗粒粒径分散性较好,也表现出最好的电催化性能。从CV曲线可见,随着pH的增高制得的Pd/C催化剂电催化氧化的性能先提高后降低,Pd/C-10.2氧化峰电位下Pd的质量比活性达到1 590 mA/mg,分别是Pd/C-9.0和Pd/C-12.1的3倍和2.5倍。     

DMFC阳极催化剂PtRu/C的制备及表征

采用化学还原法制备了PtRu/C催化剂,XRD的表征分析结果表明:Pt粒子呈面心立方结构,催化剂平均粒径为4nm。并使用循环伏安法研究了PtRu/C催化剂(担载量0.056mg/cm2,PtRu的质量分数为20%,Pt/Ru原子比为1∶1)的电氧化性能。研究结果显示制备的催化剂对甲醇有高的电催化氧化性能:起始电位为0.2V(vs.SCE),其峰值电流密度为23.52mA/cm2,比质量活性为419mA/mg。研究还发现利用本方法制备的PtRu/C催化剂对于甲醇有较强的抗CO中毒能力和较高的电催化活性。     

双氧水和退火温度对WO_3薄膜光电化学性质的影响

以WO3粉体合成的W络合离子作为前驱液,超声喷雾热裂解法（USP）制备出WO_3薄膜,研究前驱液中H_2O_2添加量、薄膜沉积温度和薄膜退火温度对WO_3薄膜光电化学性能的影响,利用XRD、UV-vis和光电流光谱（IPCE）等对薄膜进行表征,实验结果表明,USP制备的WO_3薄膜为单斜相且沿（200）晶面优势生长;前驱液中双氧水量的增加导致WO_3薄膜禁带宽度（E_g）增加;薄膜的平带电位（Vfb）在-0.27~-0.05V之间（vs.SCE,pH=7）,且掺杂浓度随退火温度升高而降低;在0.1M的Na_2SO_3溶液中,薄膜的IPCE随退火温度升高而降低,随H_2O_2量的减小IPCE增高。     

Pt／C催化剂的制备及其对甲醇电催化氧化的研究

首次报道了以乙二胺四乙酸（EDTA）作为螯合剂,采用硼氢化钠还原氯铂酸制备Pt／C（Pt的质量分数为20％）纳米催化剂,TEM分析表明,通过改变反应的pH值可以获得分散度与粒径不同的Pt粒子,当pH=12．5时,Pt的分散度最高,平均粒径最小（3．2nm）。催化剂的退火处理研究表明,经270℃氮气氛围内退火后,其电催化活性有了显著提高。使用循环伏安法在甲醇的溶液中电催化氧化研究结果表明,在pH=12．5时制备的催化剂对甲醇的电催化氧化活性最高。     

对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究

采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。     

薄膜太阳电池的最新进展

介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况.多晶硅,非晶硅太阳电池的生产技术成熟,商业化程度高,是目前太阳电池开发与应用的重点,随着技术和工艺水平的提高,CdTe和CIGS等新型太阳电池商业化必将带来能源领域的新变革.文章同时还给出了这些太阳电池的未来研究方向.