Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。     

浅谈电气自动化专业实验室教学效果

随着高职院校教育体制的改革及素质教育的不断推进,实验室教学在教学体系中越来越重要,电气自动化专业课程非常适合在实验室进行一体化教学。实验室教学可以很好的引导学生学习兴趣,通过自己实践动手解决问题,充分利用学校的实验设备,于教、于学、于做中学习专业知识。     

热氧化法制备ZnO纳米棒及其结构表征

在无催化剂条件下,采用热蒸发Zn源,以N2为载气体,在SiO2衬底上反应沉积制备出单晶氧化锌纳米棒。XRD研究表明纳米棒为结晶完好的纤锌矿结构,并且为非定向生长,非定向生长的氧化锌纳米棒减弱了棒之间的屏蔽效应,表现出较好的场发射效果,为未来场发射电子器件的实际应用提供了可靠依据。     

M2、GDP及CPI指数关系的实证研究

据统计截至2013年2月底,中国广义货币发行量M2达到99．86万亿,占全球货币供应总量的约四分之一,是美国的1．5倍。2012年,我国名义GDP是2002年的4．5倍,M2余额是2002年的5倍,平均每年增长17％左右。央行行长周小川表示,在改革开放初期,在通胀可控的前提下,M2增长速度与名义GDP增长速度相匹配或略高一些是可以接受的、     

单片机课程教学做一体化模式探索

当前社会上的企业要求学生具有较强的动手操作能力,能适应当前快速发展社会的变化要求。这就给高职院校的教师提出了更高的要求。本文通过对传统单片机课程教学方式进行思考,针对其不足进行了探索,提出了教学做一体化的教学模式,让学生在学习中操作,在操作中找到知识点,培养学生学习兴趣,循序渐进掌握专业知识技能。     

浅谈Ga-Nexus网站实现

为缩短该项目开发周期,提高开发效率,本课题实现过程大致分三阶段完成,分别是：美工设计、网站重构、CMS整合。虽然大致划分为三阶段,但每个阶段的工作都与其他阶段有重合部分,且需要随项目进展和客户反馈随时做出修改,具体流程如下：     

Au/SiO_2复合纳米颗粒膜的制备及退火行为研究

室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜。用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射方法(XRD)对不同温度退火后的Au/SiO2复合薄膜的表面形貌、微观结构进行了表征。SEM结果表明,随着退火温度升高,Au纳米颗粒先形成大的聚集后出现分布均匀的超微颗粒。XRD结果显示700℃时Au的衍射峰最强,随后峰强有所减弱,这与SEM检测结果相吻合。另外实验结果证实在1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70nm)的Au纳米点,可以用来作为生长一维纳米材料的模板。     

p型ZnO及ZnO基发光器件研究进展

六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙(3.36 eV,300 K)半导体材料,其优异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点。综述了自1997年以来ZnO的p型掺杂以及ZnO基发光器件方面的研究成果,比较了不同方法制备的p型ZnO材料和发光器件的性能差异,分析了造成各种差异的原因,并针对当前研究提出了一些建议和预测。     

应用电子专业实践教学体系和教学内容改革的思路措施

实践教学是我们培养适应社会当前产生需要的应用型技术人才最有效的方法。但目前学校的教学体系内容不能跟上社会的需要,、也让学生在学校期间没能得到有效的培养锻炼。社会急需动手型技术人才与学校培养的学生不能找不到合适的工作之间产生了很大的矛盾。因此,我们要对教学体系、内容进行改革。让学生就业与社会需求之间合理对接,良性循环。     

Au／SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备

室温下用磁控溅射法在Si（111）衬底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜,并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀（直径约为70nm）的Au纳米点,从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板,然后,将Au催化剂模板在1100℃下退火处理,生成纳米线,SEM和TEM测试,制备的SiO2纳米线直径约为100nm,长度约为4μm,表面光滑,直且粗细均匀。