孟岗集洼陷勘探潜力分析与勘探目标评价

通过对孟岗集洼陷勘探潜力的分析与勘探目标区的综合评价,提出了孟岗集洼陷下一步的勘探重点,对孟岗集洼陷下一步的勘探工作有一定的指导意义.     

SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性

采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。     

Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

采用LBL(layer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜.即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的Cu2SnS3薄膜.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性.制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1.05 eV.     

电化学沉积氧化镍薄膜的制备及其电致变色

本文利用正交实验，对电沉积氧化镍薄膜的制备技术进行了研究，找出了基底的最佳预处理条件和制备条件，并对薄的电色性能及结构特性进行了研究，找出了它们的变化规律。     

氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn1-x GaxSe2/CdS的影响

将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo／CuIn1-xGaxSe2／Cds)在500℃进行氢处理和氮处理，然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下，经过不同时间的氢处理，可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品)，提高了p-n结的性能，从而提高光电转换效率，并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少，促进CuIn1-xGaxSe2相的形成，这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响，这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的，而非普通的热处理所致。     

Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

采用LBL(1aYer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜。即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960nm的CuzSnS3薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1．05eV。     

用生产测井资料分析胡七南断块剩余油饱和度分布状况

基于胡七南断块的生产测试资料、岩心分析资料、相对渗透率资料和油田地质与生产开发状况等资料,运用系统软件,分析该断地怕剩余油分布状况,确定该断块目的层段的剩余油分布定集区及水淹区,并以此为依据对区块进行综合治理,取得较好的开发效果。     

Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C-V测量研究其电荷俘获性质.发现对于n型Si衬底,在横向电压作用下,SRO层能够俘获正电荷,电荷俘获效应与SRO层的性质有关.基于电位在器件内部的分布及诱导pn结的形成,提出了一个简单的物理模型来解释所得到的实验结果.     

胡十二块油藏流体性质研究

胡十二块目前面临着高含水低采出程度的问题 ,造成该状况的主要原因是胡十二块为严重非均质油藏。通过对胡十二块油藏内流体性质及变化规律的研究 ,充分认识了胡十二块原油物性、化学组成及油田水在注水开发中的变化 ,并进一步研究了流体性质在油田开发中的应用     

无水化学沉积法制备Sb2S3薄膜

采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜。先用无水乙醇将4．0mL浓度为0．1mol／L的SbCl3乙醇溶液稀释至39．6mL,再加入0．4mL浓度为0．5mol／L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18℃温度下沉积72h后,进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙。结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1．86eV降低为1.75eV。