SiO2·Bi2O3对NiZn铁氧体的烧结和磁性能的影响

本文采用溶胶-凝胶法制备NiZn铁氧体-SiO2·Bi2O3复合材料。结果表明:烧结过程中Bi2O3与SiO2形成非晶态玻璃相促进烧结,使瓷体烧结温度降至1030℃,并且瓷体的磁导率随非磁性玻璃相的增加显著减少。磁导率的变化主要是由于非磁性相的引入导致磁路隔断、退磁场增加以及铁氧体晶粒减小所致。加入适量非磁性相有助于改善瓷体的高频特性。     

高校科技成果向生产力转化的对策

本文对目前科技成果向生产力转化的现状，提出了更新观念，增强成果转化意识，科研立项要面向国民经济主战场，实事求是地大力宣传科技成果，敢于承担风险，切实为企业服务，逐步完善技术市场，促使科技成果转化等对策。     

基于网络处理器的ATM网络流量监测分析

针对异步传输模式网络，提出了流量监测指标。基于C-5网络处理器，设计并实现了ATM网络流量监测分析系统。该系统能够执行ATM网络的VPI/VCI利用率测量、信元重组及上层协议分析等功能。实验数据表明，系统在监测OC-3/OC-12链路时丢包率小于0.001%，满足速率及精度的要求，能够实现线速测量。     

SrTiO_3基中高压电容器瓷料的合成条件研究

在文献 [6]的基础上 ,进行了详细的合成条件研究 ,结果表明 ,2B4 -2 0 0 0组SrTiO3 基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短 ,能耗较低的一次预烧合成工艺制备。其主要性能指标达到 :ε(2 0℃ ) ≥2 0 0 0　　　tgδ 4 0× 1 0 -4 　　　ρv≥1 0 12 Ω·cmΔε/ε2 0°c<± 1 0 %　　　Eb>9kv/mm     

(1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体的微观结构与电磁特性

对(1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体的X射线衍射、体积密度、直流体电阻率、磁导率温度谱和频率谱等测试数据进行比较分析发现:当x≤0.05时,铁氧体为单纯的尖晶石相,尖晶石晶格中少量氧缺位存在有利于促进晶粒的生长,提高铁氧体初始磁导率和致密度;当x＞0.05时,铁氧体为尖晶石和石盐石两相复合体,非磁性石盐石相(NiyZn1-y)O(y＜0.8)在晶界处的存在极大地减缓了晶粒的生长速度,促进了晶粒细化,改善了铁氧体的高频电磁特性和温度稳定性.     

低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷

对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究。实验结果表明:添加质量分数为5%~10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,r = 58~76,tg? 3.3?04,= (329~472)?06/℃,? 1012 cm。利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现:材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3 玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则。     

印刷用分子银电极浆料的研制

采用高效的球磨制浆工艺制备分子银印刷电极浆料,使制浆耗时缩短到传统球磨工艺的1/40～1/50。浆料均匀、细滑,粘度为25±5Pa·s(25℃),印刷时丝网不粘片,“堆烧”时瓷片间不粘附,烧渗后的银层厚度(5～7μm)适中,表面平整光亮、结构致密、可焊性好,当焊槽温度为230±5℃时,耐焊时间≥5s,表面焊锡光滑明亮,附着强度>9.8N/mm~2,且能与各种瓷料配合,完全满足了引进的陶瓷电容器生产线的工艺要求。经用户批量使用,确认可替代进口的同类产品。     

SrTiO3基中高压电容器瓷料的合成条件研究

在文献[6]的基础上,进行了详细的合成条件研究,结果表明,2B4-2000组SrTiO3基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短,能耗较低的一次预烧合成工艺制备.其主要性能指标达到ε(20℃7≥2000 tgδ 40×10-4 ρv≥1012Ω.     

硬质合金圆柄止动槽成型刀设计

针对加工止动槽用硬质合金焊接刀刃磨时,其宽度难以控制、对刀困难、无法加工倒角等问题,设计了圆柄止动槽成型刀代替硬质合金焊接刀,只需刃磨排屑槽,节约了磨刀时间,保证了止动槽宽度尺寸,节省了倒角工序,提高可产品质量和经济效益。