BST薄膜的研究现状与发展趋势

综述了(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜材料的研究现状，包括薄膜的制备技术、电极材料的选择、组分与掺杂对电学及介电性能的影响，分析了与薄膜相关的缺陷和可靠性现象，并对未来可能的进展作了简单的描述。     

BST薄膜的磁增强反应离子刻蚀研究

分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀。结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性。当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值。当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47nm/min。原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大。对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物。     

再谈替代定理

对文献[1，2]为替代定理提出的“修正”和“补充”表示了异议，认为教材中替代定理的表述是完善的，不需作修正和附加应用条件，他们的观点只能作为替代定理的应用技巧。     

R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/RuO_2薄膜及其介电特性研究

用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律.     

消耗定额对化工产品价格的判定及应用案例分析

列举分析了实际开发中经常遇到的典型价格判断案例,并提出了利用消耗定额判断化工产品价格应注意的问题。     

溢晶石对于富钙母液蒸发的影响分析

分析溢晶石的产生条件和解体条件,计算使用不同成分的低钙母液洗涤溢晶石矿物的低钙母液添加量(得到高钙母液).制定了扩大试验消除氯化钙矿物(溢晶石、六水氯化钙混合物)的具体操作手段.     

TiO_x层在Pt/Ti电极中对Ti扩散的抑制作用

采用直流磁控溅射方法在SiO2/Si衬底上制备出Pt/Ti和Pt/TiOx底电极。用XRD分析其晶相结构,用AFM测量其晶粒尺寸和表面粗糙度。结果表明,用TiOx层代替金属Ti后,能有效地抑制在高温环境下Ti原子向Pt层扩散,使电极表面粗糙度减小(粗糙度为2.99 nm)。     

尾氯生产次氯酸钙漂液

某厂生产金属钠,由于尾氯吸收不好,投产后,造成严重的环境污染.该厂附近有一造纸厂,利用液氯(含Cl299.6%)生产次氯酸钙漂液.用次氯酸钙漂液漂白纸浆,生产的白纸无腐蚀洞,且成本低廉.据某造纸厂统计,年生产5 000 t纸,用次氯酸钙漂液代替次氯酸钠漂液,每年降低生产成本达50万元以上.次氯酸钙漂液一般用液氯与石灰水反应制得.若改用尾氯(含Cl2 65%)生产次氯酸钙漂液,能否生产出合格的次氯酸钙漂液(有效氯50 g/L),是否可以解决该厂环境污染,光、温度、运输对漂液是否有影响,针对以上问题,笔者进行了探索研究. 　　……     

钛酸锶钡薄膜的制备及其光学特性研究

用溶胶–凝胶法在石英和Al2O3单晶衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为和表面形貌。在700℃退火1 h的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀、无裂缝、无针孔。应用双光束光度计,在200~1000 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据“包络法”理论计算薄膜的折射指数。结果表明,当波长从近红外范围(1 000 nm)降低到可见光范围(430 nm)时,薄膜的折射率从2.16增加至2.35,当波长降低到紫外范围时,薄膜的折射率迅速增加,在365 nm处n =2.67。实验还发现沉积在Al2O3衬底上的BST的能隙约为3.48 eV。     

R.F.溅射Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2薄膜及其介电特性研究

用R．F．磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0．5Sr0．5TiO3／RuO2异质结，BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析，表明在衬底温度为550℃时，薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大。电容器InGa／BST／RuO2的介电特性由ε—V特性和I—V特性描述。薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0．03，低电场条件下，薄膜的漏电流随电压呈饱和特性，属电子跳跃传导，且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流，高电场条件下，漏电流符合肖特基发射规律。