用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的 OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al) 的发光性能得到改善.ZnS 缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为 5 nm 时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10 nm时,器件的发光电流效率增加40%.研究结果表明 ZnS 薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性.     

基于偏微分方程解析求解的图像矢量化方法

该文提出了一种利用偏微分方程解析求解进行图像矢量化的方法.借助椭圆偏微分方程,提取图像的轮廓线作为边界条件,用解析方法高效地计算偏微分方程的解,从而重构整个图像.该方法简单易行、速度快,效果良好.     

PtOEP掺杂A1q3有机发光器件的能量传递

研究了高效磷光染料八乙基卟啉铂（PtOEP）掺杂于主体材料八羟基喹啉铝（A1q3）体系中PtOEP、A1q3之间的能量传输机制。分别以PtOEP掺杂和未掺杂的A1q3膜作为发光层制作有机发光器件（OLED），改变掺杂浓度，检测器件电致发光（EL）光谱的变化。经分析，在5％、10％、20％三种掺杂浓度中，10％掺杂浓度能量传递效果最好。通过对掺杂和未掺杂器件电流密度-电压、亮度-电压数据检测，计算外量子效率，在低电流密度（≤7mA/cm^2）驱动下掺杂器件外量子效率是未掺杂器件的5倍。     

基于解析伪谱法的四边PDE曲面生成方法

为解决高效、快速、精确地生成曲面等问题,将偏微分方程（PDE）应用到曲面生成中（PDE方法优越性在于可以通过相对较少的参数生成一张光滑的曲面）。研究了用解析伪谱法快速生成一张解析近似的四边PDE曲面片,与分离变量法不同的是,该方法生成曲面的近似解由3部分组成：一个特征函数;一个多项式的解,两者皆可精确地满足偏微分方程;附加一个剩余函数,以确保精确的满足边界条件;进行了相同边界条件下分离变量法与解析伪谱法生成曲面的试验。实验结果表明,解析伪谱法生成的PDE曲面较分离变量法精确度高,且更为光滑。     

VOx作空穴注入层的低启亮电压有机发光二极管

W增加到2.63 lm/W.此外,对VOx厚度分别为10,20和30 nm的三组器件进行了对比,结果显示器件性能基本一致.     

PtOEP掺杂Alq3有机发光器件的能量传递

研究了高效磷光染料八乙基卟啉铂(PtOEP)掺杂于主体材料八羟基喹啉铝(Alq3)体系中PtOEP、Alq3之间的能量传输机制.分别以PtOEP掺杂和未掺杂的Alq3膜作为发光层制作有机发光器件(OLED),改变掺杂浓度,检测器件电致发光(EL)光谱的变化.经分析,在5%、10%、20%三种掺杂浓度中,10%掺杂浓度能量传递效果最好.通过对掺杂和未掺杂器件电流密度-电压、亮度-电压数据检测,计算外量子效率,在低电流密度(《7mA/cm2)驱动下掺杂器件外量子效率是未掺杂器件的5倍.     

Nb2O5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响

在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/A1的器件.Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITo中ln向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率.研究了不同厚度Nb2 O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2 nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5 cd/A增加到了7.8 cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件.