新型大功率开关器件IEGT及其特性

介绍了一种新型大功率开关器件IEGT的结构,原理,通态特性,开关特性,开关效率以及有关工艺特点。     

掺硼多晶硅的制备及其电阻率

本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。     

快速整流二极管的一种新结构

介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。     

运用谐振触发方式的RSD脉冲电源

本文提出了一种运用谐振原理的可重复RSD脉冲电源。分析电路的工作特性并对其重要元件磁开关进行了重点设计。给出了实验结果，最后提出了几种改进电路参数的方法。     

半导体放电管多元胞结构模型

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图.对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据.     

RSD开关在脉冲电源中的应用研究

该文提出应用RSD(Reversely Switched Dynistor)设计脉冲功率电源的方法，并在应用RSD设计脉冲电源过程中对两种关键元件磁开关和脉冲变压器进行了重点设计，确定回路参数配合原则。在3种典型触发方式的RSD脉冲电源基础上，提出了RSD端电压翻转式触发电路，以提高RSD的触发效率，采用了阻尼衰减模型的设计方法消除主回路放电过程中出现的振荡。对该电源放电脉冲压缩形成回路模型进行了设计分析，并对其和共触发电路进行了设计仿真。对所提出的触发RSD方式的脉冲电源设计方法进行了试验验证分析和仿真验证分析，证明了设计方法的正确性。     

RSD开关的谐振式触发电路设计与研究

运用谐振电路原理，设计出一种用于脉冲变压器高电压、大电流脉冲开关RSD(Reversely Switched Dynis-tor)的触发电路。重点设计了控制触发的脉冲变压器；分析并讨论了触发电路的输出波形。经实验验证了该方案的正确性和选择元件参数的合理性。     

聚酰亚胺保护高压整流元件的试验

本文将聚酰亚胺 (PI胶)用于高压整流元件的表面保护,做了大量试验.试验结果表明,PI胶具有温度特性好、结构致密、可靠性好等优点.最后讨论了采用PI胶工艺的可靠性问题.     

晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究

系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 ,计算半导体结的最大温升     

Matlab与数字示波器的通信

Windows环境下Matlab与TDS系列数字示波器的通信过程,给出了相关的通信程序,并在Matlab中对示波器读取的波形数据进行了频域处理。从而表明它们之间的通信在数字信号处理方面具有重要的实际意义。