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WPC Qi标准并未对充电板上的异物检测做出明确规定。随着兼容此国际标准的无线设备的增多,系统应用安全性问题也日益突出。基于WPC Qi标准研究异物目标探测原理和方法,给出一种实现异物检测的方案和测试结果,可以作为WPC Qi标准的有益补充,和相关无线充电设备开发的参考。 相似文献
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近年来,电子与通信工程技术飞速发展,给我们的工作生活都造成了深远的影响,同时也给电子与通信工程类的人才培养带来了新的挑战,如何培养卓越人才是当前困扰我国高等教育改革发展的一大难题.本文首先分析了当前电子与通信工程卓越人才培养方面所面临的一些问题,进而就电子与通信工程卓越人才培养的对策进行了探讨,希望能够为我国未来电子与通信工程卓越人才的培养提供一些参考. 相似文献
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用添加聚乙二醇(Polyethylene Glycol,PEG)表面活性剂的直接沉淀法合成氢氧化镁纳米粉末,将其在不同温度下煅烧得到的纳米氢氧化镁和纳米氧化镁,采用正电子湮没寿命谱(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy,PALS)、X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)、热重分析(Thermal Gravimetric Analysis,TGA)、场发射扫描电子显微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope,FESEM)和氮气吸附脱附实验(N2adsorption-desorption)等方法研究了纳米氢氧化镁转变为氧化镁过程中的微观变化机制。研究结果表明:实验制得的纳米氢氧化镁为厚度15 nm左右的片状形貌,在300oC左右热分解为直径30 nm左右的纳米球状氧化镁,颗粒大小均匀,分散性较好。正电子寿命测量发现两个长寿命分量τ3、τ4分别反映样品内部微孔和介孔的信息,在250~300oC的相转变温度区间,I4显著升高,同时I3却迅速减小,说明纳米氢氧化镁转变氧化镁时介孔数量突然增大,而微孔的数量迅速减少。由改进的Tao-Eldrup模型计算得到的孔径尺寸与氮气吸附脱附实验测量孔径分布的最可几孔径(2~4 nm)基本吻合,有理由推测在片状氢氧化镁转变球状的氧化镁时因晶粒长大、重组导致大量微孔发生迁移聚集成了较大的介孔;另一方面,水分子的脱离促进了晶粒内空位团和微孔不断产生、迁移和聚集。 相似文献
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纳米Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷具有优良的力学性能,良好的高温稳定性和化学稳定性,并具有良好的抗辐照效应,是目前极具潜力的一种纳米陶瓷材料。采用正电子寿命谱分析同时配合着X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)和透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)对纳米Al_2O_3、ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷在不同退火温度下(室温-1 000℃)的微结构及缺陷进行了研究。XRD研究表明:Al_2O_3、ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2纳米复合陶瓷三种样品退火温度低于500℃时,晶粒尺寸保持不变;随着退火温度的增加,Al_2O_3晶粒尺寸变化不大,ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2有所增加,但由于Al_2O_3的抑制,Al_2O_3/ZrO_2的晶粒生长更缓慢。正电子寿命分析表明:样品内主要缺陷是空位、空位团和微孔洞,缺陷主要集中在晶界处。对比ZrO_2纳米陶瓷内缺陷,Al_2O_3和Al_2O_3/ZrO_2纳米复合陶瓷内空位团或微孔洞缺陷尺寸更大,而相对数量更少。退火温度低于500℃时,三种样品内平均缺陷密度基本不变,高于500℃时由于晶粒生长,缺陷开始恢复,ZrO_2变化更明显,而Al_2O_3/ZrO_2由于相互抑制对方的晶粒生长,稳定性更高,这与XRD结果一致。纳米Al_2O_3的TEM图显示出晶粒大小基本不随退火温度变化发生改变,而纳米Al_2O_3/ZrO_2只有在退火温度高于500℃时,晶粒开始慢慢长大,并且发生了团聚,非常直观地证实了XRD和正电子的实验结果。 相似文献
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