光激发LT—GaAs共面微带传输线THz色散与衰减特性

彩和半经验色散公式分析了ＬＴ－ＧａＡｓ衬底共面微带传输线的ＴＨｚ模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性,同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗,结果表明,较小的横向尺寸有利于改善ＬＴ－ＧａＡｓ共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性。较大的横向尺寸比可降低导体欧姆损耗。     

自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究

评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状．给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果．     

宽频带亚10fs钛宝石激光器的特性研究

由于FDMS(Frequency Dependent Mode Size)效应,对于一定孔径的抽运光,各频谱成分所获得的增益放大不同,将产生一个频谱过滤器的作用,限制脉冲带宽的增加.当其它限制脉冲压缩效应得到控制时,FDMS效应就成为产生亚10fs脉冲的主要障碍.采用银膜反射镜或宽带啁啾反射镜等手段,主要是减少元件对带宽的限制和补偿高阶色散,并未削弱FDMS效应的影响. 我们依据本室提出的"厚透镜"理论,在典型的非对称"X"型四镜棱镜对激光谐振腔结构中,让激光器工作在下稳定区的上边界附近,采用软光阑锁模.这时在钛宝石棒内腔模光斑将随脉冲强度增大而增大,当调节抽运光的聚焦使其光斑尺寸大于腔模时,两光束的耦合将随光强增大而得到改善,腔模获得的增益会增加.利用这种增益调制效应有利于实现自启动锁模,并能减弱FDMS效应的影响,有利于得到较宽频谱.基于以上理论,我们采用宽带介质膜反射镜作为激光器端镜,获得最大的频谱半高全宽达144 nm、中心波长735 nm的宽带频谱输出.调整腔内参数,采用低色散棱镜对进行腔外色散补偿,在中心波长750nm处获得了8.5 fs超短脉冲的输出,其带宽为93 nm,平均功率300 mW.(OB9)     

低温生长GaAs非平衡载流子的超快动力学特性

采用飞秒激光光谱技术研究了ＬＴ－ＧａＡｓ受激载流子的超快弛豫特性,讨论了载流子散射、载流子－声子互作用和缺陷捕获对载流子弛豫特性的贡献,测定载流子的捕获时间约为５００ｆｓ,并发现其随载流子的过超能量减少而增加     

光谱相位相干直接电场重构法测量飞秒脉冲的适用性问题

分析了现有光谱相位相干直接电场重构法(SPIDER)系统的一个缺点,即需预先估计待测脉冲的特性,来设定合适的系统参数.因而其适用范围受到一定限制,特别是在测量啁啾脉冲时容易出现偏差.实验用SPIDER系统分别测量了钛宝石飞秒激光器输出的脉冲及其经BK7玻璃块展宽得到的啁啾脉冲,测得啁啾脉冲的宽度为295 fs,作剪切量修正后测得脉宽为322 fs,后者更接近理论预期的313 fs.这表明SPIDER系统测量啁啾脉冲时,如果色散器提供的色散量不够大,会出现一定程度的偏差.通过补充记录两个和频脉冲的光谱,修正实际的剪切量,可有效减小误差,但问题仍未完全解决.     

LT—GaAs飞秒光电导特性

采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性.实验测得不同激发波长或偏置电压下LT-GaAs光电导开关瞬态响应驰豫时间约350～390fs,由实验数据计算得到电子迁移率约1000cm     

GaAs中光生重空穴散射的飞秒光谱

采用可调谐飞秒激光光谱技术 ,研究 Ga As中光生重空穴的超快弛豫动力学过程 .测得重空穴的弛豫时间为 1 50 fs,表明空穴的热弛豫由空穴 -空穴散射和空穴吸收光学声子共同决定 .给出光生空穴的空穴 -空穴散射率公式 ,说明价带类 | p〉波函数的各向异性使得低能量空穴的散射率变小 .计算得到的空穴弛豫时间与实验结果较好符合 .     

低温生长GaAs非平衡载流子

采用飞秒激光光谱技术研究了ＬＴ－ＧａＡｓ受激载流子的超快驰豫特性,讨论了载流子散射,载流子－声子互作用和缺陷捕获对载流子驰豫特性的贡献,测定载流子的捕获时间约为５００ｆｓ,并发现其随载流子的过超能量减少而增加。